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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3071個 瀏覽：254554次 帖子：483個

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      近日，合肥安賽思半導體有限公司和新加坡三福半導體科技有限公司（簡稱：三福半導體）成功簽署戰略合作備忘錄，并舉行了安徽大學與三福半導體聯合實驗室的揭牌儀式。

      2024-05-23 標簽：半導體IGBT功率器件 966 0

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      Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）M...

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      東風汽車：智新半導體第二條生產線預計7月批量投產

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      2024-05-22 標簽：IGBT碳化硅東風汽車 1061 0

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      如何更好地驅動SiC MOSFET器件？

      IGBT的驅動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅動電壓有助于降低器...

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      英飛凌推出全新SSI系列固態隔離器

      英飛凌科技發布了其全新SSI系列固態隔離器，這是一款集成了隔離型柵極驅動電源的革命性產品。SSI系列固態隔離器旨在驅動MOS電壓驅動型功率晶體管，如Co...

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      在IGBT雙脈沖測試中需要用到兩個脈寬和間隔可調的脈沖信號，通常可以使用控制板編寫程序來實現，但這種方式不太靈活，更換不同控制板平臺需要重新編寫程序，而...

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      貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7，額定電壓達750V，額定電流275A，適用于生產550A-9...

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