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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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在當今的半導體市場,公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營,...
如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測試電路,改變電壓及電流測量探頭的位置,即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。
智能IGBT在汽車點火系統(tǒng)中的應用 要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點火線圈),以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子...
當充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應運而生了。
在當代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
我們知道本征半導體是不導電的,好比純水的導電性不強,想要它導電,就摻上雜質(zhì)。讓水導電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導體導電,就摻上三價或者五價元素,形成空穴...
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結(jié)構(gòu)會隨著時間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個壽命周期內(nèi),會經(jīng)歷數(shù)萬至數(shù)百萬次的溫度循...
變頻驅(qū)動器VFD/IGBT逆變器的過壓保護6KV介紹
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動器(VFD)/逆變器通常安裝在電動機的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器: TLP2451
隨著系統(tǒng)尺寸的進一步減小,封裝密度進一步升高,工業(yè)設備領(lǐng)域?qū)δ芷骷母邷夭僮餍枨笤絹碓酱蟆|芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產(chǎn)品...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過程中,關(guān)斷時刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺的應用中對于模塊電壓尖峰要求更高
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散,那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 標簽:IGBT開關(guān)頻率 2013 0
畢竟選擇一款650V、40A的IGBT,還能替代仙童FGH40N60SFD型號參數(shù)的國產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
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