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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)用于許多不同類型的電源應用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以...
針對特性的需求可提供完整的高性能解決辦法,同時取得更好的EMC性能。目前市場上車用IGBT門極驅動器基本都是采用集成化的方案,分為光耦隔離和數字式隔離兩種方式。
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導體有多少了解呢?今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手,全面了解半導體的“前世今生”。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領域中廣泛使用的半導體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控...
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產品,特別是馬達驅動器、不斷電系統(U...
2013-08-28 標簽:IGBT 2090 0
通過制動單元外接制動電阻,該方式配合母線電壓檢測。當電機迅速停機時,電機繞組上的能量會通過逆變側的反并聯二極管倒灌入母線電容,此時母線電壓升高;當高于設...
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