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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品優(yōu)勢
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴(kuò)大;對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IG...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(1)
分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實(shí)際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡單
功率器件介紹、市場概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了
變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中, 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度,后者 在變頻空調(diào)、...
2023-11-30 標(biāo)簽:IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 8946 0
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié),在正向?qū)〞r(shí),背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減小(即電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時(shí),我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個(gè)BJT都處于工作狀態(tài),那么就會(huì)發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(2)
IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2057 0
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