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2025年4月，國際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進行了顯著改進，將為生成式AI、高性能計算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來革命性的變化。

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三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片

在科技日新月異的今天，三星電子與臺積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強強聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報道，雙方正攜手并進，共同開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）人工智...

2024-09-09 標(biāo)簽：三星電子臺積電 AI芯片 1054 0

三星攜手臺積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報道，三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來，雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）芯片，旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場...

2024-09-06 標(biāo)簽：三星電子臺積電存儲器 2041 0

三星電子加速推進HBM4研發(fā)，預(yù)計明年底量產(chǎn)

三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電...

2024-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子存儲器 1064 0

SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士...

2024-07-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺積電內(nèi)存 958 0

SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù)，引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息，...

2024-07-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲技術(shù)SK海力士 1494 0

英偉達、臺積電與SK海力士攜手，2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中，英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作，旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)...

2024-07-15 標(biāo)簽：臺積電英偉達 SK海力士 1222 0

ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進中，韓國后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉，ASMPT已向美光提供了...

2024-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體美光鍵合 1337 0

臺積電攜手創(chuàng)意電子，斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，臺積電再次憑借其卓越的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力，攜手旗下子公司創(chuàng)意電子，成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4（High Band...

2024-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺積電 SK海力士 966 0

臺積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關(guān)鍵界面芯片大單

在科技浪潮的涌動下，臺積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》6月24日報道，繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后，臺積電近日攜手旗...

2024-06-24 標(biāo)簽：芯片臺積電 AI 1218 0

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在...

2024-05-30 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM 1159 0

臺積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會上，臺積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進展。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程進行生產(chǎn)，臺積電計劃使用其N12和...

2024-05-21 標(biāo)簽：臺積電 HBM HBM4 1002 0

臺積電將采用HBM4，提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案

在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會上，臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn)，而臺積電計劃利用其...

2024-05-20 標(biāo)簽：芯片臺積電 HBM 1446 0

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會議上，三星電子代表曾表示，該公司計劃在年底前實現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見在明年會完成研發(fā)，...

2024-05-17 標(biāo)簽：三星電子納米制程 HBM 830 0

臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前，我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的...

2024-05-17 標(biāo)簽：臺積電先進制程 HBM 1004 0

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM 1139 0

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM 754 0

SK海力士、三星電子：HBM內(nèi)存供應(yīng)充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 SK海力士 801 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預(yù)計今年內(nèi)實現(xiàn)1c...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 1042 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 738 0

三星電子組建HBM4團隊，旨在縮短開發(fā)周期，提升競爭力

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將主要負責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 HBM 1741 0

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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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