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HBM3E

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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強大成為 AI/ML 和其他高性能計算工作負載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認為HBM3的擴展版本就是HBM3E。

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什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。

2024-03-20 標簽：處理器 DRAM 人工智能 3501 0

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。

2024-03-01 標簽：存儲器服務(wù)器 HBM 3008 0

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HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展，原本SK...

2024-07-28 標簽：存儲 HBM HBM3E 5604 0

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票...

2024-04-06 標簽：存儲芯片 HBM pcle 5095 0

英偉達發(fā)布新一代H200，搭載HBM3e，推理速度是H100兩倍！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）日前，英偉達正式宣布，在目前最強AI芯片H100的基礎(chǔ)上進行一次大升級，發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...

2023-11-15 標簽：英偉達 HBM3 HBM3E 4518 0

風景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）在早前的報道中，對于HBM產(chǎn)能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產(chǎn)品升級的步伐。 ? 三大廠...

2024-10-06 標簽：SK海力士 HBM3 HBM3E 4376 0

三星存儲，開始反擊！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其第三季度財報，顯示該公司芯片季度營業(yè)利潤達3.86萬億韓元，遠低于上一季度的6.45萬億韓元，環(huán)比爆...

2024-11-04 標簽：存儲三星 HBM3E 3670 0

追趕SK海力士，三星、美光搶進HBM3E

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1...

2023-10-25 標簽：美光三星 HBM3 3450 0

存儲技術(shù)進入爆發(fā)期，SK海力士321層NAND，HBM3e，LPDDR5T紛至沓來

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）我們?nèi)缃裾幱谛畔r代，而存儲作為信息的載體，對當今技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。通常存儲芯片是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用...

2023-08-14 標簽：存儲 SK海力士 LPDDR 2684 1

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了...

2024-03-30 標簽：存儲器 SK海力士 HBM3 2485 0

三星強化HBM工作團隊為永久辦公室，欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。

2024-03-10 標簽：存儲器 SK海力士 HBM 2039 0

AI大模型不斷拉高上限，內(nèi)存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到來

自2012年以來，大規(guī)模的AI訓練所使用的數(shù)據(jù)集的計算量以每年10倍的速度增長。比如在2022年11月ChatGPT的版本參數(shù)是1750億個，今年3月的...

2023-12-13 標簽：Rambus 內(nèi)存控制器 HBM3 1760 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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