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sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,...
三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。...
GTC 2024:三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術
據悉,HBM3E廣泛應用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其...
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進...
? ? 據了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM,能夠提升數據處理速度,HBM DRAM產品以 HBM(第一...
三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務;傳蘋果悄悄開發“Apple GPT” 或將挑戰OpenAI
熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務 據報道,英偉達正在努力實現數據中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的...
SK海力士成功開發出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E
與此同時,SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術,其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(B...
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容...
Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能
作為業界領先的芯片和 IP 核供應商,致力于使數據傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 ...
3月13日消息,據外媒報道,三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導電薄膜(...
Rambus推出支持HBM3的內存子系統,速率可達8.4Gbps,助力AI/ML性能提升
高達8.4Gbps的數據速率,為人工智能/機器學習(AI/ML)和高性能計算(HPC)應用提供TB級帶寬加速器
據預測,進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業績明年將迅速恢復。部分人預測,三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
AMD發布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款Instinct MI
目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s的帶...
盡管業界對包括摩爾定律、內存墻差異等傳統原則的有效性爭議不斷,但半導體領域仍普遍認為,多年來內存行業的價值主張在很大程度上始終以系統級需求為導向,已經突...
美光科技Q2業績超預期 營收同比增長58% 美光科技Q2業績超預期,截至2月29日的第二財季,美光營收同比增長58%,高達58.2億美元,大幅超出分析師...
今日看點丨SK海力士開發出全球最高規格HBM3E;蘋果正在開發 A19 仿生處理器和 M5 系列芯片
1. 狠砸1 億英鎊!英國首相蘇納克計劃購入數千顆AI 芯片 ? 據報道,英國首相蘇納克(Rishi Sunak)將花費1億英鎊,用于購買數千顆高性能人...
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