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德州儀器(TI)宣布,其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵(GaN)功率半導體的生產。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業務,將使TI...
華碩ROG Thor III PSU:1600W額定功率,配備磁性OLED顯示屏
華碩推出了全新的旗艦級PC電源系列——ROG Thor III PSU系列,該系列包括1000W、1200W和1600W三種不同容量的型號。這些電源均采...
近日,GaN行業迎來了一項重要突破,一家名為遠山半導體的企業宣布成功研發出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級高達3300V。這一消息于10月18日由“...
方正微電子:2025年車規SiC MOS年產能將達16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導體領域的IDM(集成設備制造)企業,公司現擁有兩個生產基地(fab)。其中,Fab1已實現每月9000片6英...
近日,日本功率器件大廠羅姆半導體(ROHM)宣布了一項重要決策,將在GaN功率半導體領域加強與臺積電的合作。據悉,羅姆將全面委托臺積電代工生產GaN功率...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG設備顯示出以下優點:1.寬帶隙半導體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機集團近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
今日看點丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創12英寸GaN晶圓技術
1. 英飛凌推出全球首創12 英寸GaN 晶圓技術 ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產GaN芯片,該技術為世界首創,希望滿...
英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術, 推動行業變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵(GaN...
日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破,成功研發并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸)晶圓,標志著公司在高性能半...
聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產品組合,其中多款應用于可再生能源、電動交通、智能家居...
8月28日至30日,全球領先的半導體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)”,以“數...
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