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基于模型的GaN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
高度集成的射頻收發(fā)器芯片有助于提高天線級(jí)的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個(gè)例子。它提供雙發(fā)射器和接收器、集成合成器和數(shù)字信號(hào)處理功能。該器件包...
一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...
LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì),具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動(dòng)器PMIC 1127 0
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用
型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸...
這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)
在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LM...
GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性
報(bào)告內(nèi)容包含: 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
充電器,已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間,對消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體 774 0
生成模型近年來發(fā)展迅猛,已經(jīng)表現(xiàn)出極強(qiáng)的真實(shí)感合成能力,在三維重建、AI繪畫、音視頻創(chuàng)作、可控圖像生成、真實(shí)圖像編輯等領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是Ga...
QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...
基于多孔氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體材料的方法,研究人員已經(jīng)開發(fā)出藍(lán)光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長和VCSEL陣列的量產(chǎn)。
“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計(jì)方案
當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動(dòng)性和極端操作環(huán)境的限制時(shí),有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
全球汽車制造商致力于通過解決消費(fèi)者對行駛里程、充電時(shí)間和可負(fù)擔(dān)性等主要問題來加速電動(dòng)汽車的采用,因此要求增加電池容量和更快的充電能力,而尺寸、重量或組件...
2022-10-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車tiGaN 958 0
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表...
2022-10-19 標(biāo)簽:功率器件GaN電源環(huán)路 1537 0
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
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