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gan技術(shù)

從原理到實(shí)例:GaN為何值得期待?

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2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電容 1309 0

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2022-12-26 標(biāo)簽:功率放大器GaNPA 2404 0

IC集成支持平板相控陣天線設(shè)計(jì)

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碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)

一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 1.3萬 0

氮化鎵的優(yōu)勢特點(diǎn)!

傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 3196 0

氮化鎵半導(dǎo)體的興起!

氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...

2022-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1857 0

如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì),具有極佳的散熱性能。

2022-11-30 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動(dòng)器PMIC 1127 0

高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用

型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸...

2022-11-29 標(biāo)簽:控制器濾波電路GaN 2028 0

基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標(biāo)簽:GaN毫米波HEMT 2606 0

GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)

在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LM...

2022-11-18 標(biāo)簽:pcb散熱器FET 1119 0

GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性

報(bào)告內(nèi)容包含: 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

2022-11-17 標(biāo)簽:整流器氮化鎵GaN 576 0

簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

充電器,已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間,對消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...

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空間稀疏推理(SSI)加速深度生成模型

生成模型近年來發(fā)展迅猛,已經(jīng)表現(xiàn)出極強(qiáng)的真實(shí)感合成能力,在三維重建、AI繪畫、音視頻創(chuàng)作、可控圖像生成、真實(shí)圖像編輯等領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。

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詳解GaN和SiC器件測試的理想探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是Ga...

2022-11-03 標(biāo)簽:SiCGaNMOSFET管 1599 0

QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片

本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...

2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFETGaN快充 1521 0

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100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表...

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2022-10-19 標(biāo)簽:SiCGaN 506 0

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語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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