兩個主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們在電源系統(tǒng)設計中已經使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:07
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搞電力電子的應該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件，在應用的時候把它當作一個開關就可以了，但估計很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作區(qū)的命名和區(qū)別，同時由于不同參考書對工作區(qū)的命名又有很多種，很容易讓人混淆。
2021-01-01 17:34:0018659 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
本帖最后由 張飛電子學院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
IGBT模塊工作原理以及檢測方法,希望會對大家有所幫助
2011-08-09 18:30:26
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT
2018-10-18 10:53:03
的是，MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對于硬開關MOSFET應用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管
2018-08-27 20:50:45
本帖最后由 松山歸人 于 2022-2-10 16:57 編輯
大家下午好！今天給大家?guī)怼?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET與IGBT基礎講解】，會持續(xù)更新，有問題可以留言一同交流討論。需要更多學習資料可點擊下方鏈接，添加客服領取http://zyunying.zhangfeidz.com?id=28
2022-02-10 16:54:31
應用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線相交點為2.65A RMS。對PFC電路而言，當交流輸入
2020-06-28 15:16:35
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
用于Si8751隔離式MOSFET驅動器的Si8751-EVB，Si875x評估套件是驅動各種應用中使用的功率開關的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 11:07 編輯
請教大家，stc89c51單片機的工作環(huán)境溫度有要求嗎？
2015-01-13 11:14:20
具有更高的開關損耗。 對于低頻 (小于20kHz) 、高壓 (大于1000V) 、小或窄負載或線路變化、高工作溫度，以及超過5kw的額定輸出功率應用，IGBT是首選。而MOSFET更適合低電壓 (小于
2022-06-28 10:26:31
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調器逆變器以及馬達控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅動，以充分獲得低導通電阻。也就是說，兩者的區(qū)別之一是驅動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
23.3FIT，故障率比同等級Si-IGBT和Si-MOSFET低3～4個數(shù)量級。耐壓實力值更高，并具有足夠的余量，從而可以在高原應用或多個使用的應用中，降低因宇宙射線引起的中子誘發(fā)故障的風險。靜電
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關性能的優(yōu)勢實現(xiàn)了Si IGBT很難實現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
使用orCAD軟件時，需要先配置好工作環(huán)境。再進行下一步的創(chuàng)建工作。1.OrCAD工作環(huán)境設置（Cadende16.6）(1)首先啟動ORCAD Capture CIS(2)設置Preference
2017-02-27 10:31:05
CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線相交點為2.65A RMS
2017-04-15 15:48:51
的是，MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對于硬開關MOSFET應用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管的選擇
2019-03-06 06:30:00
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關系，就必須對這三者的內部結構和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內部結構（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
求各位大佬解惑。為什么LRC的LR78M05D工作環(huán)境溫度最低可以到-40℃，但Tj最低只到0℃。
2021-11-30 12:26:32
在高負載時保持了與IGBT同等的效率。這是空調的例子，這款Hybrid MOS的特征在其他很多設備中也同樣表現(xiàn)非凡。對比使用現(xiàn)有IGBT的應用以及使用SJ MOSFET的應用，Hybrid MOS
2018-11-28 14:25:36
天線一般的工作環(huán)境溫度是怎么樣的區(qū)間值？求大咖解答，謝謝！
2018-04-26 15:23:52
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
無線通信基站系統(tǒng)在現(xiàn)場應用中會受到散熱、灰塵、油煙、濕度、腐蝕等環(huán)境因素的影響，而運營商降低建設成本和維護成本的考慮使得設備工作環(huán)境更加惡化。從實踐角度出發(fā)，基于實際部署經驗，系統(tǒng)性地分析了上述因素
2019-07-12 07:01:27
資料請參看產品手冊）。通常，較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴。所以，小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。工作環(huán)境 晶體振蕩器實際應用的環(huán)境需要慎重考慮。例如
2016-01-13 17:57:02
逆變的時候直流輸入是25V，工作電流是250A.現(xiàn)在用的器件是IPM，以后可能還要增大工作電流，我害怕IPM不夠使，所以想請大家推薦一個電力開關。聽說MOSFET比較適合低壓大電流的工作環(huán)境，有熟悉這方面的朋友能不能介紹一兩個比較靠譜的MOSFET型號嗎？{:22:}
2014-03-13 08:29:34
電機控制中的MOSFET和IGBT基礎知識當前的發(fā)動機越來越傾向于電子控制，相對于通過直接連接到相應電源（無論是直流源還是交流源）的做法來說，這種方式可以提供更好的控制速度、位置以及扭矩，以及更高
2016-01-27 17:22:21
：SCT30N120 輸出特性 （Tj = 25 °C） SiC MOSFET 基本上與 Si MOSFET 或 IGBT 的電壓電平一起工作，但不是最佳參數(shù)。理想情況下，SiC MOSFET 在其
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
保險絲是否正常動作，這是需要一定條件的，下面秦晉電子給大家講解自恢復保險絲正常動作需要的工作環(huán)境及條件。
2021-01-07 06:39:09
，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 igbt工作原理及應用
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其
2008-06-19 09:45:1811134 
SI9114采用MOSFET電路圖
2009-05-12 14:33:00650 
基站靠墻安裝、散熱和工作環(huán)境的考慮
華為公司BTS3812基站靠自帶風扇后排風設計，但依然滿足靠墻安裝的需求。靠墻安裝不是貼墻安裝，
2009-06-30 09:32:00698 電容器的工作環(huán)境條件
這里所說的工作環(huán)境條件是對電容器性能影響最大的溫度與溫度。
電容器的工作溫度過高，會使電容器容易老化;而溫度過
2009-08-21 16:50:322737 IGBT的工作原理是什么?
IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使
2010-03-05 11:43:4296991 MOSFET和IGBT是當
2010-12-31 10:31:242463 
為了實現(xiàn)分布式虛擬設計過程中的信息共享、協(xié)作以及沖突消解，建立了一個面向分布式虛擬設計的協(xié)同工作環(huán)境=描述了系統(tǒng)體系模型的研究方法和基于.)L+的多層分布式結構，詳細介
2011-06-28 15:27:3526 東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
應用說明：使用Si828x驅動MOSFET和IGBT交換機
2016-12-28 11:09:170 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436485 
簡單的說晶圓廠就是生產硅片。本文開始介紹了晶圓廠的概念，其次對晶圓廠工作環(huán)境進行了分析，最后分析了晶圓廠是否有輻射。
2018-03-16 13:33:0416568 本文開始介紹了PLC的結構及各部分的作用，其次介紹了PLC的基本特點與工作環(huán)境，最后介紹了PLC常見的六大應用領域。
2018-04-19 09:09:536490 
羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 了解在Xilinx工作的感受。員工提供有關我們的文化，工作環(huán)境和產生影響的機會的觀點。
2019-01-08 07:11:002178 當提到VR時，大多數(shù)人認為它是沉浸式游戲和娛樂的工具。微軟研究院最近發(fā)表了一篇論文，其中討論了VR在工作環(huán)境中的潛力。他們聲稱，基于沉浸式頭戴式顯示器（HMD）的VR辦公室將實現(xiàn)身臨其境，靈活和流暢的工作。基于VR的工作環(huán)境將提供諸多優(yōu)勢。
2019-01-24 10:39:09505 眾所周知，在整條SMT生產線之中，貼片機是最為重要并且精密程度最高的設備。因此，為了設備的精度、穩(wěn)定性，延長設備的生命周期，大家需要重視良好的工作環(huán)境。下面豪本電子為大家介紹適宜的設備工作環(huán)境
2020-05-11 10:04:431146 80℃的工作環(huán)境的，工控機主要應用是在熱帶或亞熱帶的戶外陽光正射的工作環(huán)境。在工控機廠家在設計之前就會對市場有一個認知，對于小眾市場，很少公司去專業(yè)開發(fā)一款工業(yè)主板滿足高溫工作環(huán)境的工控機市場需求。
2020-07-10 16:19:252096 企業(yè)如何在遠程工作環(huán)境中利用云計算技術？以下是組織快速將其員工轉換為在家遠程工作的一些優(yōu)秀實踐。
2020-09-09 14:13:211772 本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
IGBT MOSFET建模(電源4572)-該文檔為利用Simplorer?IGBT MOSFET建模仿真，simplorer為最近幾年新出的仿真軟件，模型具有比較準確的可仿真性
2021-07-26 13:35:4091 1、由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關速度可以
2022-02-11 10:47:5631 本書在簡析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內部結構、主要參
數(shù)及其對驅動電路的要求的基礎上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅動電路的基本特性和主要參數(shù)重點討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 伺服電動缸是高精密傳動機械，我們對于伺服電動缸的應用環(huán)境可以參考所選用電機能夠工作的環(huán)境，以此來作為正常工作環(huán)境。比如說客戶工作環(huán)境特殊存在粉塵，高溫，低溫，雨水等工況，就需要綜合考慮電機和缸體，兩者缺一不可。
2022-10-27 15:37:50716 上期分析了發(fā)光二極管在NPN和PNP三極管電路中放置位置以及用PNP三極管如何搭建電路的兩個問題，接下來的問題就是如何用三極管放大小信號，那么如何給三極管基極B提供一個“不大不小”的基極電流Ib，提供一個可靠的直流工作環(huán)境使其工作在放大區(qū)，就是我們要討論的問題了。
2023-01-19 15:30:001547 
上期對三極管直流工作環(huán)境進行了分析，主要由三個偏置參數(shù)決定：基極電壓、集電極電流、集電極電壓，這期除了分析集電極電壓之外，有必要對三極管“負載曲線”進行分析。
2023-01-19 15:31:001370 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動
2023-02-17 16:40:23914 MOSFET和IGBT的對比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全稱金屬-氧化物半導體
2023-02-22 13:56:541 IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。
2023-02-22 15:52:241202 
本文章主要講述五種主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，為阻態(tài)，開通，通態(tài)以及關斷其器
件內部的原理，從而更好的了解器件工作，更好的區(qū)分各器件更加適合應用在何項目中。
2023-02-23 10:08:136 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ，那已經是不錯了。不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十M
2023-02-23 15:51:011 功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ，那已經是不
錯了。不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十MHZ，射頻領
域的產品。
2023-02-24 10:33:326 雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處，但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說，在更高電壓下的性能會受到影響。
2023-03-16 12:35:51585 vcs工作環(huán)境
2023-05-15 09:38:170 隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴苛，使得IGBT模塊產生大量的熱量，由于模塊內的熱量無法及時得到釋放，從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513 
1.工作環(huán)境1.1環(huán)境溫度*工作溫度：-10℃to+65℃.（-40℃可正常起機）*存儲溫度：-40℃to+70℃.*運輸溫度：-40℃to+70℃.1.2環(huán)境濕度*工作濕度：5%到95%相對濕度
2022-11-14 11:39:58379 
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關應用，而IGBT更適合高功率應用。
2023-10-17 14:46:401038 
Strand7允許用戶對工作環(huán)境的各類設置進行調整。例如，你可以根據(jù)需要改變諸如顏色、亮度和視角等顯示設置。你還能指定文件位置，這在網絡環(huán)境中非常重要－你可以將模型文件存放在網絡中的共享驅動器上
2023-10-22 14:50:27325 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
2023-11-24 14:57:39195 
MOSFET與IGBT的區(qū)別
2023-11-27 15:36:45369 
電子發(fā)燒友網站提供《集成電路在工作環(huán)境中所受威脅的本質.pdf》資料免費下載
2023-11-28 10:26:310 、詳實、細致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領域的半導體器件。它們的主要區(qū)別在于結構和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 晶閘管開關是一種在電力控制領域中極其重要的設備，其使用環(huán)境是影響其工作性能和壽命的關鍵因素。為了確保晶閘管開關能夠正常工作并具有長久的使用壽命，以下是一些晶閘管開關工作環(huán)境的重要要求。
2024-01-04 14:35:24221 IGBT是一種高性能功率半導體器件，常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構成。它結合
2024-01-12 14:43:521681 不同工作環(huán)境溫度對電感性能有何影響？? 電感是一種電子元器件，其功能是存儲和釋放電能。在不同的工作環(huán)境溫度下，電感的性能可能會發(fā)生變化，包括電感值、損耗、電感線圈的材料等方面。本文將從不同角度探討
2024-01-30 16:18:10341 IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應用中起著關鍵的作用。飽和區(qū)是IGBT和MOSFET工作的一個重要區(qū)域，但是
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工商網監(jiān)
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