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標(biāo)簽 > gan
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由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達成。但是,隨著GaN功率器件輻照強化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會得到更大...
LP88G24DCD內(nèi)置650V級聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計,具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動器PMIC 1138 0
在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計都是一項重要的考慮因素。熱設(shè)計經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級別、拓撲和應(yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LM...
擴展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會,公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展(國際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽:功率開關(guān)PDSiC 1135 0
高/低功率各不相同,射頻電路電源管理這門學(xué)問你真的懂么?
電源管理是一門科學(xué)藝術(shù),它通過優(yōu)化輸入和輸出信號來最大化 RF 設(shè)備的效率和性能,這不是一件容易的事。每臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都有自己獨特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...
GaN基耐輻射DC/DC變換器在衛(wèi)星應(yīng)用中提高效率
在過去幾年中,航天市場通過采用以前在空間系統(tǒng)中看不到的新技術(shù),朝著更高效的電源解決方案發(fā)展。空間硬件受到惡劣環(huán)境條件的影響,包括電離輻射,因此必須使用抗...
2023-05-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器變換器衛(wèi)星 1120 0
廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展,相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
新一代PowiGaN技術(shù)在LED照明中的應(yīng)用解析
PI CEO Balu Balakrishnan在季報電話會議上所說:“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率,實現(xiàn)了硅開關(guān)無法達到的功率...
2019-10-08 標(biāo)簽:led照明led驅(qū)動器GaN 1112 0
納芯微GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017在激光雷達中的優(yōu)勢
自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向,而具備強感知能力的激光雷達則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD...
本文我們將重點介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
友尚推出基于ST ViperGaN50 的先進準(zhǔn)諧振反激式高效能高密度15V/3A 45W GaN功率電源轉(zhuǎn)換器
一款基于 VIPERGAN50 的隔離式電源是一款新型離線高壓轉(zhuǎn)換器,具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶體管,專為準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計,能夠...
2023-04-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體GaN 1100 0
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
CoolGaN和增強型GaN(通常指的是增強型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可滿足高功率應(yīng)用,例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點,被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
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