這是一款采用 GaNSense技術的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器、下一代游戲電競系統、500 W 太陽能微型逆變器、1.2 kW 數據中心 SMPS 和4 kW電機驅動。

NV6169是最先進的納微第三代氮化鎵平臺中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率芯片具有行業首創，無損電流感應和最快的短路保護，實現“檢測到保護”的速度僅為30ns，比分立解決方案快6倍。在電機驅動應用中，與IGBT相比，氮化鎵功率芯片可節省高達40%的能源，消除30個外部組件，并將系統效率提高8%。
*附件：NV6169 產品手冊和介紹.pdf

一、核心參數與性能

1. 基礎參數
   • 導通電阻（Rds(on)） ： 45毫歐（mΩ） ，較上一代降低36%。
   • 封裝 ：采用 8×8 mm PQFN封裝 ，支持高功率密度設計。
   • 電壓規格 ：
     • 額定工作電壓 ：650V。
     • 峰值電壓 ：800V，適用于瞬態高壓場景（如電機驅動、太陽能逆變）。
2. 算力與能效
   • 節能優勢 ：
     • 相比IGBT， 節省40%能源 ，減少30個外部組件，系統效率提升8%。
     • 通過無損電流感應和自動待機模式，降低待機功耗。
   • 開關頻率 ：支持高頻開關（如2MHz），優化電源效率。

二、技術特點與創新

1. GaNSense技術
   • 無損電流感應 ：
     • 內置逐周期電流檢測，無需外部采樣電阻，減少傳導損耗和PCB發熱。
     • 30ns短路保護 ：從檢測到保護僅需30納秒，比分立方案快6倍。
   • 集成保護功能 ：
     • 過流保護（OCP）、過溫保護（OTP）、靜電放電（ESD）防護（2kV等級）。
     • 自動待機模式，空閑時降低功耗。
2. 高可靠性設計
   • 散熱優化 ：
     • 源極散熱焊盤設計，配合PCB銅箔和散熱孔實現高效散熱。
     • 支持高功率密度應用（如數據中心、電動汽車）。
   • 零故障記錄 ：
     • 累計出貨超5000萬顆氮化鎵芯片，無現場故障報告（截至2022年）。
3. 兼容性與易用性
   • 集成驅動與控制 ：
     • 內置柵極驅動器，簡化設計，兼容主流拓撲（如圖騰柱PFC、LLC）。
     • 支持PWM輸入和標準接口，適配多種控制器。

三、應用場景與市場定位

1. 目標市場
   • 高功率領域 ：
     • 電動汽車（EV） ：車載充電器（OBC）、電機驅動、DC-DC轉換器。
     • 工業電源 ：太陽能逆變器、儲能系統、服務器電源。
     • 消費電子 ：高端快充充電器（如100W以上多口氮化鎵充電器）。
2. 競爭優勢
   • 性能對比 ：
     • 功率密度 ：相比硅基方案，體積縮小50%，重量減輕40%。
     • 成本效益 ：減少外部組件數量，降低系統BOM成本。
   • 擴展性 ：
     • 可并聯多顆芯片提升功率，支持千瓦級應用（如800V高壓平臺）。

四、行業地位與案例

1. 市場認可
   • 技術領先性 ：
     • 全球首款集成智能傳感與保護的氮化鎵功率芯片（2021年GaNSense技術發布）。
     • 納微半導體是唯一實現氮化鎵器件、驅動、控制全集成的廠商。
   • 專利布局 ：
     • 擁有超100項專利，覆蓋功率晶體管、驅動器、單片集成等領域。
2. 應用案例
   • 消費電子 ：
     • 綠聯、貝爾金、聯想等品牌的100W+氮化鎵充電器（如綠聯100W 2C1A）。
   • 工業與汽車 ：
     • 適用于數據中心電源、太陽能逆變器，但具體客戶案例未公開（知識庫未提及）。

五、總結

GaNFast NV6169是納微半導體在高功率氮化鎵芯片領域的旗艦產品，憑借 45mΩ低導阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術 ，成為數據中心、電動汽車和工業電源的優選方案。其集成化設計與高可靠性，進一步推動氮化鎵技術在高功率場景的普及。隨著電動汽車和可再生能源需求增長，NV6169有望在2025年及以后的市場中占據重要地位。