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gan技術

基于GD32F303的高頻DC/DC變換器解決方案

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車載充電器(OBC)是電動汽車和混合動力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個AC/DC(功率因數校正電路)和一個隔離式DC/DC轉換器。

2023-08-10 標簽:電動汽車變換器DC-DC 1786 0

氮化鎵有源相控陣雷達難點 氮化鎵有源相控陣雷達優點

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650V硅上GaN增強模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強型晶體管-正常關閉電源開關

2023-08-07 標簽:GaN功率晶體管 3117 0

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2023-08-07 標簽:集成電路半導體材料SiC 4343 0

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2023-08-02 標簽:電磁干擾氮化鎵GaN 943 0

高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率

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氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC),...

2023-08-01 標簽:電源整流器德州儀器 2554 0

GaN開發的PC200材料的特點及使用時的要點

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隨著能夠高頻驅動的半導體“GaN”的普及,開關電源的高頻化也逐漸變成了現實。變壓器產品中使用鐵氧體材料,但根據驅動頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會有很大的...

2023-08-22 標簽:變壓器半導體開關電源 1412 0

“后起之秀”氮化鎵未來幾大新的增長點

來源:電子工程專輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中,將更有優勢,比如氮化鎵基器件已成功規模應用于快充領域。...

2023-07-24 標簽:氮化鎵GaN 604 0

羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅動器

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2023-07-20 標簽:IGBT晶體管SiC 1032 0

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芯元基的量子點MIP技術,在GaN晶圓的每個子像素的側壁均做有金屬電極結構,這種結構除了有利于像素的共陰極設計外,也可以更好的解決獨立子像素間的光串擾問...

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GaN技術可以提高雷達的性能和適用性,但也需要更多的測試和優化,在雷達中的應用有以下優勢和劣勢: 優勢: GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性,可以提...

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2023-07-13 標簽:氮化鎵程序GaN 936 0

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2023-07-06 標簽:射頻接收器移動通信 912 0

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