隨著能夠高頻驅(qū)動的半導體“GaN”的普及,開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會有很大的變化,這是變壓器設(shè)計的關(guān)鍵。本文將介紹為GaN開發(fā)的PC200材料的特點及使用時的要點。
目錄
支持高頻的材料的特點及產(chǎn)品系列
相對以往的鐵氧體材料的優(yōu)越性
性能參數(shù) (f×B)
磁芯溫度的參考實驗
使用PC200材料時的注意事項
支持高頻的材料的特點及產(chǎn)品系列
TDK支持高頻的Mn-Zn系鐵氧體支持PC95材料的量產(chǎn)。
PC200材料是一種鐵氧體材料,在700 kHz~4 MHz的頻率之間損耗小,在1.8 MHz~2 MHz左右之間電能轉(zhuǎn)換能力最大。
例如,為了抑制蓄電池電壓的電壓變動,汽車的ECU必須搭載DC-DC轉(zhuǎn)換器,但是為了EMI對策,開關(guān)頻率上升到了避免AM帶的頻率(1.8~2.2MHz)。
可以說,PC200材料是最適合這種高頻驅(qū)動的變壓器的材料。p>
圖1:高頻開關(guān)元件 GaN用鐵氧體材料
■期待通過使用PC200對產(chǎn)品產(chǎn)生的效果
?通過高頻化應對變壓器的小型化
?高頻驅(qū)動條件下的溫度上升抑制效果
■主要用途
?民生設(shè)備:高效率、小型適配器、開關(guān)電源等
?工業(yè)設(shè)備:DC?DC轉(zhuǎn)換器、高輸出小型開關(guān)電源、逆變器等
?車載產(chǎn)品(EV、HEV):車載充電器 、 DC-DC轉(zhuǎn)換器等
材料品名 | 頻率范圍*1(kHz) | 產(chǎn)品狀態(tài) | 樣品 |
---|---|---|---|
PC95 | -300 | 量產(chǎn)體制 | 可提供 |
PC50 | 300 - 1000 | 量產(chǎn)體制 | 咨詢 |
PC200 | 700 - 4000 | 事前準備 |
可提供 (咨詢*2) |
*1 頻率范圍是大致范圍。需要在實機上進行動作驗證。
*2 關(guān)于PC200能支持的尺寸和數(shù)量,敬請咨詢。
高頻動作時相對以往鐵氧體材料的優(yōu)越性
材料特性比較
未指定公差時,是代表值
PC95 (Mn-Zn) |
PC50 (Mn-Zn) |
PC200 (Mn-Zn) |
||
---|---|---|---|---|
起始磁導率 : μi @25℃ | 3300±25% | 1400±25% | 800(Typ.) | |
磁芯損耗 @80℃ / kW/m3 | @500kHz, 50mT | 215 | 80 | 40 |
@1MHz, 50mT | 880 | 480 | 150 | |
@2MHz, 30mT | - | 850 | 160 | |
飽和磁通密度 : Bs(mT) @100℃ | 410 | 380 | 410 | |
居里溫度 : Tc / ℃ | 215 | 240 | 280 |
圖2:磁芯損耗(Pcv)的溫度依賴性
圖3:磁導率
性能參數(shù) (f×B)
可根據(jù)性能參數(shù)(f×B)的圖表計算出驅(qū)動頻率能使用的磁通密度ΔB。
圖4:性能參數(shù)
動作磁通密度與磁芯損耗(磁芯的發(fā)熱)相關(guān)。
動作磁通密度通過以下公式計算,受到飽和磁通密度或磁芯損耗限制的值為設(shè)計值。
磁通密度:B動作電壓:E圈數(shù):N磁芯的截面積:A開關(guān)開的時間:τ
回掃、順向式轉(zhuǎn)換器中,在300KHz以下動作時受飽和磁通密度限制,在第一第三象限使用LLC共振、全橋式等B的電路時受磁芯損耗的限制。
尤其在200KHz以上時,請參考右圖的f×B曲線設(shè)定動作磁通密度。
磁芯溫度的參考實驗
PC200材料的鐵氧體磁芯在高頻動作時可以抑制發(fā)熱。
因材質(zhì)不同,最佳動作頻率有所變化。
使用熱像儀進行的各使用條件的磁芯溫度比較
Frequency (MHz) |
0.3 | 1 | 2 | |
---|---|---|---|---|
B (mT) |
80 (PC200 : 66) |
50 | 30 | |
f×B (MHz?mT) |
24 (PC200:20) |
50 | 60 | |
PC95 |
![]() |
![]() |
- |
![]() |
PC50 |
![]() |
![]() |
![]() |
|
PC200 |
![]() |
![]() |
![]() |
圖5:確認溫度時使用的電路
使用PC200材料時的注意事項
如圖6所示,在大磁通下使PC200材料動作時,μi增加20%,磁芯損耗增加130%。
使用PC200材料設(shè)計產(chǎn)品時,推薦在Hdc=50(A/m)以下的條件下使用。
圖7是超過Hdc=50(A/m)的事例
①在第一、第三象限使之動作時,在一側(cè)超過。
②使直流重疊后超過。
圖6:以大磁通量使PC200材料動作時的變化
圖7:驅(qū)動狀態(tài)(磁滯回線)
審核編輯:彭菁
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