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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲(chǔ)器。

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fram資訊

采用了262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片

采用了262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片

富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片,使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)...

2021-05-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram 1356 0

富士通FRAM將致力打造自動(dòng)駕駛的堅(jiān)固后盾

隨著汽車(chē)智能化的發(fā)展,越來(lái)越多的車(chē)輛搭載了自動(dòng)駕駛技術(shù)。據(jù)前瞻技術(shù)研究院的數(shù)據(jù)顯示,2019年國(guó)內(nèi)自動(dòng)駕駛市場(chǎng)規(guī)模為1125億元,預(yù)計(jì)至2023年可達(dá)2...

2021-05-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram 341 0

關(guān)于FRAM在新能源汽車(chē)技術(shù)中的應(yīng)用分析

關(guān)于FRAM在新能源汽車(chē)技術(shù)中的應(yīng)用分析

新能源汽車(chē)的核心技術(shù),是大家所熟知的動(dòng)力電池,電池管理系統(tǒng)和整車(chē)控制單元。而高性能存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件。無(wú)論是BMS,還是VCU...

2021-05-04 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)fram 533 0

什么是FRAM,它的優(yōu)勢(shì)都有哪些

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FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫(xiě)入、高...

2021-05-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram 2550 0

MB85RQ4ML作為一種FRAM芯片,它的特點(diǎn)是什么

MB85RQ4ML作為一種FRAM芯片,它的特點(diǎn)是什么

MB85RQ4ML是一種FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片,采用524,288字×8位的配置,使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。...

2021-05-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram 1307 0

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與...

2021-04-08 標(biāo)簽:fram富士通 1416 0

與富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優(yōu)勢(shì)

與富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優(yōu)勢(shì)

Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場(chǎng)和應(yīng)用程序的翹楚,在這些市場(chǎng)和應(yīng)用程序中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin是MRAM...

2021-04-26 標(biāo)簽:framMRAM 708 0

FRAM技術(shù)和工作原理

獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”,F(xiàn)RAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì):高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同...

2021-03-11 標(biāo)簽:電路存儲(chǔ)器fram 4382 0

用于汽車(chē)事件數(shù)據(jù)記錄器中的Cypress非易失性FRAM

CYPRESS串行非易失性存儲(chǔ)器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲(chǔ)器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能,即使在極端溫...

2021-01-07 標(biāo)簽:汽車(chē)電子fram 698 0

關(guān)于0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

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內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫(xiě)入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管?chē)?yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電...

2020-12-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram 661 0

針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)的FRAM器件

這些年來(lái),汽車(chē)產(chǎn)品對(duì)電子產(chǎn)品的依賴性日益增強(qiáng)。從前的機(jī)械系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到電子控制單元(ECU)。針對(duì)汽車(chē)產(chǎn)品安全和用戶娛樂(lè)目的的新系統(tǒng)所...

2020-12-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)fram 382 0

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存...

2020-12-03 標(biāo)簽:fram鐵電存儲(chǔ)器 7545 0

采用FRAM的MCU為何能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢?舉例說(shuō)明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn),如果要寫(xiě)13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間,大約要用2200uA的功耗...

2020-12-06 標(biāo)簽:mcufram 1757 0

基于FRAM存儲(chǔ)與藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)的IC卡設(shè)計(jì)方案

自從 20 世紀(jì) 70 年代 IC 卡誕生以來(lái),在飛速發(fā)展的微電子技術(shù)的帶動(dòng)下,IC 卡已經(jīng)深入到社會(huì)生活的各個(gè)角落,各種各樣的卡大大方便了人們的生活:...

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FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲(chǔ)器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn),又有非失易失性特征,同時(shí)克服了非易失性寫(xiě)入速度慢且寫(xiě)入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...

2020-10-30 標(biāo)簽:framMRAM 1120 0

鐵電存儲(chǔ)器將如何解決充電樁存儲(chǔ)的痛點(diǎn)問(wèn)題

鐵電存儲(chǔ)器將如何解決充電樁存儲(chǔ)的痛點(diǎn)問(wèn)題

中國(guó)今年提出了要求加快5G網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度,在新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)七個(gè)領(lǐng)域中,新能源充電樁在列。相比較加油站的充電樁能夠承載更多的信息,...

2020-10-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram充電樁 854 0

簡(jiǎn)單說(shuō)明如何計(jì)算產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的FRAM耐久性

鐵電存儲(chǔ)器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持不僅不需要備用電池,而且與EEP...

2020-10-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sramfram 897 0

串行SRAM和FRAM二者之間的相似之處是什么

盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途,但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn),這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細(xì)介紹了SRAM和FRA...

2020-10-20 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sramfram 1113 0

Everspin MRAM提供了最具成本效益的非易失性RAM解決方案

FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲(chǔ)器件,這些材料具有一個(gè)固有的電偶極子,該偶極子在外部電場(chǎng)的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM中的讀取操作具有破壞性,因?yàn)?..

2020-10-09 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram 500 0

?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢(shì)

Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場(chǎng)和應(yīng)用的翹楚,在這些市場(chǎng)和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個(gè)419...

2020-10-09 標(biāo)簽:framMRAM 1153 1

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