憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質，近年來在 Kbit 和 Mbit 級小規模數據存儲領域開始風生水起，在各種應用領域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器 FRAM。

存儲設備（主要指存儲數據的半導體產品）通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數據在斷電時消失，如 DRAM 。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數據在斷電時不會消失，這意味著數據一旦被寫入，只要不進行擦除或重寫，數據就不會改變。FRAM 是一種與 Flash 相同的非易失性存儲器。

FRAM技術和工作原理

FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性（Ferro electricity）和鐵電效應（Ferroelectric Effect）來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心離子順著電場的方向在晶體里移動，當離子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置記憶體。

移去電場后中心離子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。

材料本身的遲滯特性的兩個穩定點代表0或1的極化值。

FRAM的特點

獨特性能成就技術“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外，FRAM 還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。

其中，FRAM 寫入次數壽命高達 10 萬億次、而 EEPROM 僅有百萬次(10^6)。同時， FRAM 寫入數據可在 150ns 內完成、速度約為 EEPROM 的 1/30,000，寫入一個字節數據的功耗僅為 150nJ、約為 EEPROM 的 1/400，在電池供電應用中具有無與倫比的優勢。

富士通FRAM產品

富士通半導體早在 1995 年已開始研發 FRAM 存儲器，至 1999 年成功量產推向市場，迄今已有 22 年的量產經驗，出貨量累計更是達到驚人的 40 億顆！

與此同時，公司15年來獲得了國內來自學術界與政府機構的11項大獎。

目前，富士通可提供I2C、SPI、Parallel三種接口，存儲容量從4Kbit到8Mbit，同時溫度適應性最高達125℃的多種FRAM產品。

富士通FRAM的應用領域

經過市場的長期廣泛驗證以及技術的不斷突破，富士通FRAM 產品已成功應用于智能卡及 IC 卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等工業領域，醫療設備及醫療 RFID 標簽等醫療領域、胎壓監測及新能源汽車電池管理系統等汽車領域等等，涉及的應用超過200種，幾乎覆蓋所有主要領域！

今后，富士通將進一步降低存儲器的功耗，擴大存儲器的操作溫度范圍，加大存儲器的容量，同時繼續開發最適合客戶用途的產品。

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