采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢？舉例說明：TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器里，F(xiàn)RAM速度會(huì)更快而所需功耗卻最低。

從擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)來看，一般存儲(chǔ)器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10次方后仍可繼續(xù)進(jìn)行擦寫操作。由于FRAM速度和SDRAM寫的速度差不多相同，在整個(gè)MCU架構(gòu)里，TI做了整體化的類選，就是說放16個(gè)FRAM在1個(gè)MCU里，這時(shí)候FRAM可以當(dāng)SDRAM使用，也可以充當(dāng)Flash以及EEPROM去使用，這樣整體存儲(chǔ)器用起來效率更高，使用更方便，這是一個(gè)全新的MCU存儲(chǔ)技術(shù)。

在應(yīng)用層上FRAM適用于什么地方呢？應(yīng)用在傳感器上FRAM的優(yōu)勢(shì)可明顯體現(xiàn)出來，F(xiàn)RAM可快速將傳感器得到的數(shù)據(jù)記錄下來，如果用Flash來做就會(huì)數(shù)據(jù)寫的時(shí)間很長(zhǎng)，傳感器數(shù)據(jù)讀完后再寫，反復(fù)間斷性讀寫動(dòng)作使每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)都是分開的，無法做到數(shù)據(jù)讀寫的連續(xù)性。在射頻的應(yīng)用上，F(xiàn)lash因速度的限制會(huì)使功耗上升的很高。如果用FRAM讀取與傳輸都是在同步高速進(jìn)行，節(jié)省時(shí)間的同時(shí)也讓功耗大幅降低。

如在傳感器數(shù)據(jù)記錄上，其它存儲(chǔ)介質(zhì)由于功耗的原因而對(duì)傳感器的安放地點(diǎn)要有所限制，增加了維護(hù)成本。而采用FRAM的MCU通過能量收集技術(shù)，使得能在更多的位置安放更多的傳感器。

由于目前MCU存儲(chǔ)介質(zhì)大都采用Flash，所以FRAM針對(duì)內(nèi)存Flash的優(yōu)勢(shì)自然被TI視為第一比較對(duì)象。如有限的數(shù)據(jù)更新/寫入速度與連續(xù)且可靠的監(jiān)視、存儲(chǔ)和RF傳輸;選擇性監(jiān)視與連續(xù)監(jiān)視;消耗長(zhǎng)達(dá)1個(gè)月的電池壽命與耗用不到6小時(shí)的電池壽命：數(shù)據(jù)塊級(jí)擦除及編程與位級(jí)存取;需要冗余（鏡像）存儲(chǔ)塊與可在電源丟失的情況下保證寫入操作等。