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標簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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三星與Synopsys合作實現首次14納米FinFET成功流片
新思科技公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的流片
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雖然開發先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高,但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續在這條道路上努力著。Cadence日前宣布,配備運用IBM的FinFET...
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臺積電在10月16日的年度大會中,宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試1...
GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動市場所設計的新技術,加速其頂尖的發展藍圖。該公司推出的14nm-XM技術,將為客戶提供3D「FinF...
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GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約,共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術的 ARM...
據相關媒體報道,ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協議,兩家公司將以ARMv8微處理器為研發對象,探索用FinFET工藝制程技術來研發ARMv8的生產工...
專訪格羅方德Subramani Kengeri:28nm量產致勝關鍵在于HKMG
本文主要講述了28nm量產致勝關鍵在于HKMG。HKMG:high-k絕緣層+金屬柵極。HKMG的優勢:不管使用Gate-first和Gate-last...
逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特爾 ( Intel ) 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖,從中可見英特爾稱為三閘極 (tri...
2012-05-21 標簽:finfetivy bridge消費芯片 2735 0
半導體產業正在面臨一項挑戰,即每兩年微縮芯片特征尺寸的周期已然結束,我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業界目前面臨的幾項關鍵挑戰都顯示,芯片微縮的...
在22nm,或許是16nm節點,我們將需要全新的晶體管。而在這其中,爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術。這場比賽將關乎到晶體管的重新定義。在22/20n...
22nm以后的晶體管技術領域,靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通...
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