全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，***晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計業(yè)者效能更佳的制造方案，搶占通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

　　鰭式電晶體（FinFET）已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動通訊市場的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸，各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構(gòu)，預(yù)計明后年即可開花結(jié)果，并開始挹注營收貢獻(xiàn)。

　　在眾家晶圓廠中，又以臺積電在FinFET的研發(fā)進(jìn)展最快（表1）。臺積電預(yù)估2013年6月即可開始提供客戶16奈米FinFET制程的晶圓光罩共乘服務(wù) （Cybershuttle），并于明年底開始試產(chǎn)，后年初正式量產(chǎn)，搶先卡位市場商機(jī)，藉此鞏固全球晶圓代工市場龍頭地位。

　　研發(fā)進(jìn)度超前　臺積16奈米明年試產(chǎn)

　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀指出，臺積電16奈米FinFET制程量產(chǎn)時程可望提前，預(yù)計明年底開始試產(chǎn)。

　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀（圖1）表示，盡管全球總體經(jīng)濟(jì)狀況不甚理想，但是受惠于行動通訊市場需求強(qiáng)勁，目前臺積電包括65、40以及28奈米等先進(jìn)制程的晶圓銷售量皆持續(xù)快速增長當(dāng)中。

　　張忠謀進(jìn)一步指出，目前20與16奈米制程技術(shù)進(jìn)展已明顯加快，其中，20奈米已有約十五個客戶正進(jìn)行投片（Tapeout）測試；16奈米研發(fā)時程則比先前預(yù)期更快，推出時間表將會比過往的制程更早，預(yù)估明年底試產(chǎn)，后年初即可開始放量。

　　另一方面，臺積電已于日前耗資新臺幣32億元標(biāo)得竹南科學(xué)園區(qū)“園區(qū)事業(yè)專用區(qū)”兩筆土地，此用地未來將興建該公司18寸晶圓廠，并從事7奈米先進(jìn)制程的研發(fā)，預(yù)計2016年開始動工興建，2017年相關(guān)研發(fā)設(shè)備將陸續(xù)進(jìn)駐該廠。

　　臺積電今年資本支出約為85億美元，且新竹科學(xué)園區(qū)的Fab 12第六期廠房已開始裝機(jī)，有利20奈米明年初如期量產(chǎn)。張忠謀強(qiáng)調(diào)，明年臺積電的資本支出仍會持續(xù)增加，以擴(kuò)增在先進(jìn)制程上的實(shí)力。

　　事實(shí)上，臺積電今年第三季營收已再創(chuàng)佳績，其中先進(jìn)制程的產(chǎn)品線貢獻(xiàn)最大。臺積電財務(wù)長暨資深副總經(jīng)理何麗梅表示，28奈米制程出貨量較前一季多出一倍以上，占公司第三季晶圓銷售的13%；40奈米的營收占全季晶圓銷售的27%；而65奈米制程技術(shù)的營收則占全季晶圓銷售的22%。總體而言，上述先進(jìn)制程的晶圓銷售達(dá)到全季晶圓銷售金額62%。

　　然而，對于今年第四季與明年初的景氣展望，臺積電仍是審慎以待。張忠謀認(rèn)為，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈將在第四季開始進(jìn)行存貨調(diào)整，因而影響晶圓制造需求，因此第四季與明年首度的成長幅度將向下微幅修正，但明年第二季后即可望恢復(fù)正常。

　　另一方面，聯(lián)電的14奈米FinFET制程技術(shù)亦將于2014年初開始試產(chǎn)，預(yù)計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35？40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

　　導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

　　聯(lián)電副董事長孫世偉表示，14奈米FinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場的最佳利器。

　　聯(lián)電副董事長孫世偉（圖2）表示，由于晶圓從28跨入20奈米制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光（Double Patterning）微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此一技術(shù)無論是微影機(jī)臺或者人力研發(fā)等成本都相當(dāng)高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設(shè)計商不愿意投資大筆資金導(dǎo)入，間接使20奈米市場需求無法擴(kuò)大。

　　具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù)，盡管仍無法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本，但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能，降低IC設(shè)計商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術(shù)。

　　孫世偉進(jìn)一步指出，在IBM FinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)下，聯(lián)電將跳過20奈米制程，直接跨入14奈米FinFET制程技術(shù)，藉此為通訊與行動運(yùn)算領(lǐng)域客戶提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預(yù)計2014年初可完成驗(yàn)證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

　　然而，相較于臺積電與格羅方德 （GLOBALFOUNDRIES）均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14奈米FinFET，聯(lián)電量產(chǎn)時程顯然稍慢，如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強(qiáng)調(diào)，盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚，但相對FinFET制程所需的機(jī)臺制造技術(shù)亦較為成熟，且設(shè)備價格也較為便宜，再加上與IBM技術(shù)交流等助益，未來量產(chǎn)品質(zhì)與時程都將可較競爭對手更符合客戶需求。

　　另一方面，聯(lián)電28奈米產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn)，并于明年第一季開始貢獻(xiàn)營收。孫世偉補(bǔ)充，首波28奈米Porting產(chǎn)品在經(jīng)過幾個月元件及制程參數(shù)調(diào)整后，良率已獲得顯著提升，且公司亦于第三季成功投片使用28奈米后閘極 （Gate-last）高介電質(zhì)金屬閘極（HKMG）制程的行動通訊產(chǎn)品，并陸續(xù)與客戶密切合作中。

　　對于各大晶圓廠皆預(yù)期第四季與明年初營收成長將趨緩，孫世偉表示，現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中，聯(lián)電預(yù)估此波庫存調(diào)整將持續(xù)至明年初，景氣回溫的脈動將取決于明年總體經(jīng)濟(jì)、終端產(chǎn)品市場需求與新產(chǎn)品交替力道強(qiáng)弱；而該公司未來將持續(xù)擴(kuò)大客戶層面，改善產(chǎn)品組合，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊。

　　盡管全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入庫存調(diào)整階段，但***IC制造產(chǎn)業(yè)仍可望在晶圓制造業(yè)者的帶領(lǐng)下逆勢成長，并在2013年達(dá)5.1%的成長率。尤其是未來臺積電若順利接下蘋果（Apple）A7處理器訂單后，更將有機(jī)會大幅帶動整體IC制造產(chǎn)業(yè)成長率向上攻頂。