作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂(lè)部的公司，中芯國(guó)際已經(jīng)開(kāi)始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開(kāi)發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國(guó)際的FinFET
2019-11-19 10:40:26
6858 就在Intel稍早以公開(kāi)信件說(shuō)明近期處理器產(chǎn)能受限，并且針對(duì)市場(chǎng)供貨短缺情況致歉，市場(chǎng)傳出三星將協(xié)助Intel生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產(chǎn)能需求。 根據(jù)韓聯(lián)社引述消息來(lái)源
2019-11-29 09:36:413979 成功批量生產(chǎn)14nm FinFET。因此，這也使中芯國(guó)際工廠成為中國(guó)最先進(jìn)的集成生產(chǎn)基地。 另一方面，臺(tái)積電是一家成熟的行業(yè)供應(yīng)商，其大部分業(yè)務(wù)集中在南京工廠，該工廠于2018年底投入運(yùn)營(yíng)。它投資30億美元，使其能夠生產(chǎn)20,000個(gè)12英寸晶圓廠每月。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)
2020-01-14 11:21:195461 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管（FinFET）技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jī)獲得好評(píng)。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺(tái)積電作為主要的代工企業(yè)，而14nm工藝的生產(chǎn)將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201363 16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計(jì)的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開(kāi)啟電腦、通信和所有類型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161 而在22nm制程之后，能夠使晶體管密度進(jìn)一步增加的14nm制程也將會(huì)很快應(yīng)用于芯片制造，這將繼續(xù)提升Bay Trail處理器的性能和功耗優(yōu)勢(shì)。
2013-10-18 11:00:151530 由于FPGA兩大領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者Xilinx與Altera不斷在先進(jìn)制程領(lǐng)域中激烈競(jìng)爭(zhēng)，也使得Xilinx已經(jīng)前進(jìn)到16nm FinFET，委由臺(tái)積電進(jìn)行代工，而Altera則是破天荒找上英特爾，以14nm三閘極電晶體進(jìn)行生產(chǎn)。但在當(dāng)時(shí)，市場(chǎng)僅僅了解的是產(chǎn)品制程，但對(duì)于產(chǎn)品本身的架構(gòu)卻是一無(wú)所知。
2013-10-31 09:43:093058 英特爾正式發(fā)布了全新14nm芯片技術(shù)，并將其命名為Broadwell。
2014-08-16 21:12:333826 當(dāng)今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導(dǎo)體廠商正嘗試開(kāi)發(fā)3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現(xiàn)突出，這也是英特爾的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
2014-10-22 10:17:591615 后來(lái)進(jìn)入10nm級(jí)，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領(lǐng)先三星和臺(tái)積電一代以上。不過(guò)，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:012534 ，臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電2月23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 08:25:501308 使用14nm。 其實(shí)，新的制程工藝是一把雙刃劍！一般來(lái)說(shuō)，在構(gòu)架變化不大的情況下，升級(jí)制程工藝之后，處理器由于核心面積變得更小，會(huì)出現(xiàn)積熱問(wèn)題；另外由于晶體管密度過(guò)高，晶體管的柵長(zhǎng)過(guò)短，會(huì)導(dǎo)致漏電率大大提升。這2個(gè)因素就決定了初代10nm產(chǎn)品無(wú)法上高頻，只能
2020-07-28 16:27:2118704 
中芯國(guó)際第1季收入預(yù)計(jì)為全年相對(duì)低點(diǎn)，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率進(jìn)一步提升，同時(shí)12nm制程開(kāi)發(fā)也取得突破。
2019-02-17 20:31:531241 3 月 10 日消息從供應(yīng)鏈獲悉，中芯國(guó)際 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約 90%-95%。目前，中芯國(guó)際各制程產(chǎn)能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
14nm工藝的肖特基二極管和與非門導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來(lái)于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見(jiàn)CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構(gòu)的智能手機(jī)、平板機(jī)處理器，而接下來(lái)的14nm路線圖也已經(jīng)曝光了。 根據(jù)規(guī)劃，在平板機(jī)平臺(tái)上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
蘋(píng)果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開(kāi)亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
。這場(chǎng)戰(zhàn)役兩家大廠互有消長(zhǎng)，首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn)，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競(jìng)業(yè)禁止官司訴訟等故事，無(wú)論如何，最終臺(tái)積電還是
2018-06-14 14:25:19
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
。 計(jì)算鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，FinFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
越來(lái)越先進(jìn)，臺(tái)積電的5nm制程成本也水漲船高，開(kāi)發(fā)一款芯片的費(fèi)用將達(dá)到5.4億美元，臺(tái)積電5nm全掩模流片費(fèi)用大概要3億人民幣，而且還不包含IP授權(quán)費(fèi)用。如此高的門檻，大部分公司都會(huì)選擇觀望。目前，也
2020-03-09 10:13:54
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長(zhǎng)。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應(yīng)鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約
2021-07-19 15:09:42
芯片除了核心數(shù)超過(guò)高通之外，在CPU性能、GPU性能、拍照、網(wǎng)絡(luò)等方面皆不如驍龍旗艦，而且制程工藝往往落后一代。因此，Helio X30原本規(guī)劃使用TSMC的16nm FinFET工藝，但同期的競(jìng)品
2017-02-16 11:58:05
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
以下小信號(hào)晶體管芯片可長(zhǎng)期供應(yīng)。S9012/S9013；S9014/S9015；5551/5401;2N4401/2N4403;D965/D882;BC817/BC807;S8050/8550
2020-04-26 08:47:07
的小珠子，使其最后形成一個(gè)10X5比例的長(zhǎng)方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15
的長(zhǎng)方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)，并以此為資本爭(zhēng)奪下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
nm SoC封裝到一個(gè)20 nm管芯中，結(jié)果是減小了芯片間延時(shí)，降低了I/O功耗，以及電路板級(jí)成本，這說(shuō)明單位晶體管成本的提高是有好處的。而不明顯的是，規(guī)劃人員通過(guò)使用晶體管來(lái)提高性能或者能效。一個(gè)
2014-09-01 17:26:49
10nm將會(huì)流片，而張忠謀更是信心十足，他直言不諱地表示10nm量產(chǎn)后將會(huì)搶下更高的份額。臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音此前也曾在一次投資人會(huì)議上透露，公司計(jì)劃首先讓自己的10納米芯片產(chǎn)線在今年底前全面展開(kāi)
2016-01-25 09:38:11
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員而言，其未來(lái)會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381 
據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開(kāi)的技術(shù)論壇的消息來(lái)源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IB
2010-06-22 08:21:47848 
近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功，業(yè)界開(kāi)始有了擔(dān)憂。
2012-03-13 14:36:5127582 英特爾（Intel）日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過(guò)十億美元。 英特爾（Intel） CEO Paul Otellini稍早前說(shuō)明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來(lái)更先
2012-05-30 11:31:11989 
本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心議題： 通過(guò)本文介紹，我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277281 
為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開(kāi)始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:37911 電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems， Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。
2012-11-01 09:11:031480 聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，
2012-11-05 09:17:53776 雖然開(kāi)發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來(lái)愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 在2012年度的國(guó)際電子元件大會(huì)上，有專家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來(lái)大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。
2012-12-13 08:51:371034 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破，與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開(kāi)發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241072 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241017 外電報(bào)導(dǎo)指出，英特爾和展訊合作的第二款14nm手機(jī)芯片將于第3季量產(chǎn)，與聯(lián)發(fā)科、高通爭(zhēng)搶中低端市場(chǎng)。
2017-05-04 01:07:111039 中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:005009 替換高清大圖 請(qǐng)點(diǎn)擊此處輸入圖片描述 中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:354975 勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來(lái)處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。
2018-06-22 15:44:044459 中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:523383 根據(jù)中芯國(guó)際之前的爆料，其14nm工藝良率已達(dá)95%，進(jìn)展符合預(yù)期，已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段，正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示。現(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0231991 雖然從技術(shù)水平上看，臺(tái)積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術(shù)，格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術(shù)，而中芯國(guó)際，28nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前良率較低，技術(shù)處于逐步成熟階段，不過(guò)在40nm制程
2019-09-03 16:08:3628320 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問(wèn)題，于是 14nm++++ 成為未來(lái)兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:328187 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì)，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，存在著明顯的金字塔模型。市場(chǎng)上的主流制程工藝節(jié)點(diǎn)從22nm、16/14nm一直到目前最先進(jìn)7nm，越往上玩家越少，即將到來(lái)的5nm更是只有臺(tái)積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 我們要不要過(guò)分夸大中芯國(guó)際呢，14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平？如果說(shuō)14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:095687 
如果說(shuō)在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 我們經(jīng)常看到報(bào)道上說(shuō)芯片制程達(dá)到了14nm、7nm、5nm，最近中芯國(guó)際在沒(méi)有ASML的EUV光刻機(jī)的情況下，實(shí)現(xiàn)了7nm的制程，有很多人對(duì)此感到很興奮。
2020-04-19 11:40:0525180 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過(guò)其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:402858 
梁孟松在會(huì)議上表示：中芯國(guó)際的14nm在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。良率意對(duì)芯片至關(guān)重要，這意味著其14nm已經(jīng)進(jìn)入真正意義上的量產(chǎn)。總體來(lái)說(shuō)，我們正在與國(guó)內(nèi)和海外客戶合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。
2020-12-11 14:16:442648 向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。在這條令人振奮的道路上，他介紹了Nanosheet晶體管，F(xiàn)orksheet器件和CFET。其中一部分內(nèi)容已在2019 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上發(fā)表。 FinFET：今天最先進(jìn)的晶體管 在每一代新技術(shù)上，芯片制造商都能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管規(guī)格微縮0.7倍，從而實(shí)現(xiàn)15％
2020-12-30 17:45:162676 要說(shuō)誰(shuí)是CPU領(lǐng)域的常青樹(shù)，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產(chǎn)品之后，英特爾的這代工藝已經(jīng)使用了7年之久，要知道在日新月異的半導(dǎo)體領(lǐng)域，制程水平能夠保持7年之久實(shí)在是一件極其
2021-01-15 10:58:288387 得益于從平面型晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)管（FinFET）的過(guò)渡，過(guò)去 10 年的芯片性能提升還算勉強(qiáng)。然而隨著制程工藝不斷抵近物理極限，芯片行業(yè)早已不再高聲談?wù)撃柖伞１M管業(yè)界對(duì)環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）在 3nm 及更先進(jìn)制程上的應(yīng)用前景很是看好，但這種轉(zhuǎn)變的代價(jià)也必然十分高昂。
2021-01-27 14:56:431941 從 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來(lái)說(shuō)，中芯國(guó)際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電，制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 良品率追平臺(tái)積電，中芯國(guó)際14nm制程已經(jīng)達(dá)到芯片行業(yè)高等水準(zhǔn)，與此同時(shí)，成熟工藝訂單排至2022年，臺(tái)積電擁有良好的制作工藝和滿足需求的產(chǎn)能。這兩大方面，都是值得我們高興的事情。最后期待，中芯國(guó)際的制程工藝能夠被更多國(guó)內(nèi)廠商使用。
2021-03-17 17:11:069320 晶體管是器件中提供開(kāi)關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來(lái)，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí)，平面晶體管開(kāi)始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:242075 近日，《烏合麒麟撤回道歉，稱3D堆疊就是芯片優(yōu)化技術(shù)》事件在網(wǎng)上引起爭(zhēng)論，今天ASPENCORE記者歐陽(yáng)洋蔥同學(xué)進(jìn)一步對(duì)“ 14nm + 14nm 達(dá)成‘比肩’7nm 性能的問(wèn)題”展開(kāi)了專業(yè)的分析
2021-07-02 16:39:345583 P溝道增強(qiáng)型燃料效應(yīng)晶體管芯片CEM4435
2021-07-12 10:26:219 而在全民熱議“清朗行動(dòng)”之時(shí)，同茂線性馬達(dá)卻在微博熱搜榜的底端發(fā)現(xiàn)了這樣一條令人振奮的消息“國(guó)內(nèi)已設(shè)計(jì)出14nm香山芯片”。
2021-09-18 09:23:271309 不久前，有消息稱國(guó)產(chǎn)14nm芯片將于明年量產(chǎn)，這一消息也代表著國(guó)產(chǎn)芯片迎來(lái)了黃金發(fā)展期。
2022-01-03 16:28:008959 已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，并且也從華為那邊收取到了麒麟710A的訂單，中芯國(guó)際表示過(guò)其12nm制程能夠?qū)崿F(xiàn)晶體管尺寸的縮減，相較于14nm制程，中芯國(guó)際的12nm制程將減少20%功耗和增加10%性能。 而相較于7nm芯片，12nm芯片在各方面就已經(jīng)就難以追趕了，以麒麟980和麒
2022-06-27 11:19:344561 臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-06-27 18:03:471295 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)？IBM 2nm制程芯片采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，晶體管密度可達(dá)5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個(gè)晶體管，2nm芯片將計(jì)算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續(xù)航時(shí)間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:08885 有多大呢？是2nm嗎？ 其實(shí)芯片前面的數(shù)字代表的是這款芯片所采用的制程工藝，2nm即為2nm制程工藝，而制程工藝又特指芯片內(nèi)部晶體管的柵極最小長(zhǎng)度，柵極是晶體管內(nèi)用于控制電流的結(jié)構(gòu)，因此2nm即代表著芯片內(nèi)部晶體管最小柵極長(zhǎng)度為2nm，并不是代表整
2022-07-04 09:15:363936 到2007年，當(dāng)時(shí)Intel公司在舊金山舉辦了一場(chǎng)演講，在那場(chǎng)演講中，Intel CEO展示了一款32nm制程的芯片，他表示該芯片中集成了超過(guò)19億個(gè)晶體管，Intel將會(huì)在2009年正式量產(chǎn)32nm制程工藝的芯片。 2010年Intel推出了Corei7≤980X，這款芯片采用了32nm制程工藝
2022-07-04 09:47:463046 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:11952 2019年第四季度，中芯國(guó)際就表示14nm已投入量產(chǎn)。2021年時(shí)傳出消息，中芯國(guó)際14nm的良率達(dá)到95%，已經(jīng)追平臺(tái)積電。（目前7nm也已小規(guī)模投產(chǎn)）
2022-11-17 15:22:38104629 繼2022年6月30日，三星電子官宣開(kāi)始量產(chǎn)基于GAA晶體管結(jié)構(gòu)的3nm芯片后，臺(tái)積電也在2022年末在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)高調(diào)舉辦了3nm量產(chǎn)擴(kuò)廠典禮，也就是說(shuō)目前先進(jìn)制程的兩大玩家都已經(jīng)達(dá)成了3nm制程
2023-01-16 09:32:53560 
設(shè)計(jì)EDA工具團(tuán)隊(duì)聯(lián)合國(guó)內(nèi)EDA企業(yè)，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實(shí)現(xiàn)了14nm以上EDA工具國(guó)產(chǎn)化，預(yù)計(jì)2023年將完成對(duì)其全面驗(yàn)證。 此外，華為的MetaERP將會(huì)完全用自己的操作系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫(kù)、編譯器和語(yǔ)言，做出自己的管理系統(tǒng)MetaERP軟件。 美國(guó)芯片法案限制
2023-03-27 16:27:184778 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117915 的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。如下圖所示：那么從20nm開(kāi)始到3nm，晶體管的結(jié)構(gòu)都是FinFET的。結(jié)構(gòu)沒(méi)有變化的條件下，晶體管尺寸
2023-12-19 16:29:01240 
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