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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點的有效密度
翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎?其實這取決于哪一方面。 斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來自麻省理工學(xué)院、...
技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來自市場的需求。
SoC系統(tǒng)開發(fā)人員:FinFET對你來說意味著什么?
大家都在談?wù)揊inFET——可以說,這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI...
雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計這將對芯片的設(shè)計方式產(chǎn)生重大影響。
當(dāng)今的可編程邏輯供應(yīng)商必須研究各種工藝選擇,才能滿足采用FPGA的設(shè)計的各類需求。本文將介紹三類工藝特性,它們與現(xiàn)代FPGA內(nèi)部結(jié)構(gòu)的聯(lián)系,以及FPGA...
傳統(tǒng)過孔數(shù)顯著增加 條狀過孔成大勢所趨
對于28納米及以下節(jié)點,各種新的設(shè)計要求使我們不得不調(diào)整傳統(tǒng)的數(shù)字電路板圖設(shè)計和驗證流程。尤其值得一提的是,過孔的使用受到了很大的影響。新的過孔類型已推...
2013-09-02 標(biāo)簽:PCB設(shè)計FinFET28nm 1776 0
一個復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個晶體管,這些晶體管通過細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個精確控制的步驟。
適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點器件架構(gòu)解析
由于從平面 FET 過渡到 FinFET,晶體管尺寸減小了,而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的,因為平面 FET 的性能在柵極長度減小時開始下降。FinF...
使用虛擬實驗設(shè)計預(yù)測先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響,并且它會隨著 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]...
2023-01-06 標(biāo)簽:晶體管FinFET負(fù)載效應(yīng) 1592 0
低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求,但近年來,在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動下,對低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。
隨著高級工藝的演進(jìn),電路設(shè)計團(tuán)隊在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。
看到這個題目,可能不少朋友都會滿臉問號,我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎?
2023-12-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管Layout 1464 0
在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中,仿照技術(shù)更多地用來處理對它們晦氣的進(jìn)程。但這個現(xiàn)象或許正在改動。
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