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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 428 0
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 401 0
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 375 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 382 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG...
TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器tiFET 471 0
從科幻走入現(xiàn)實(shí),人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場靜默而深刻的技術(shù)革命:更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...
互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵...
驅(qū)動(dòng)電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8...
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不...
如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓
上一期,我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓。現(xiàn)在,我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。
2024-11-04 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器MOSFET 621 0
N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信...
2024-10-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FET 1845 0
FET(Field Effect Transistor,場效應(yīng)晶體管)的放大原理是基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性的調(diào)控作用。FET作為一種三端半導(dǎo)體器件,通...
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電...
2024-08-21 標(biāo)簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 1453 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱B...
2024-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET場效應(yīng)晶體管 3297 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)控制電流大小的原理主要基于其獨(dú)特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,...
2024-07-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管FET 2520 0
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