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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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來(lái)說(shuō)說(shuō)J-FET的實(shí)際使用注意事項(xiàng)
該模型可用于小信號(hào)電路計(jì)算,其中,極間電容在低頻和直流電路中可以忽略。Rgs是J-FET的柵源等效電阻,當(dāng)加了正常直流偏置電路后,柵源之間外接的電阻比R...
講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理
我們可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ugs=0時(shí),MOS-FET就是兩個(gè)共陽(yáng)極的二極管,B極是公共陽(yáng)極,S、D極是兩個(gè)陰極。
基于FET的生化傳感器表現(xiàn)出可靠、環(huán)保、高靈敏、便捷的特點(diǎn),有望成為新一代傳感平臺(tái)。
采用N溝JFET與PNP型三極管的放大電路設(shè)計(jì)
下圖是一個(gè)采用N溝JFET與一只PNP型三極管組合而成的一個(gè)放大電路,原理上采用輸入阻抗高的FET作為源極接地的放大電路,第二級(jí)采用提高放大倍數(shù)的三極管...
柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源注意事項(xiàng)
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測(cè)結(jié)溫。
眾所周知,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 晶體管存在縮放問(wèn)題。隨著 CMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 變得更小,它們的功率效率會(huì)降低,進(jìn)而更容易受...
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用...
SiC FET的起源及其向完美開(kāi)關(guān)的演變
當(dāng)然,(近乎)完美的電氣開(kāi)關(guān)已經(jīng)存在很長(zhǎng)時(shí)間了,但我們?cè)谶@里不是在談?wù)摍C(jī)械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒(méi)有電阻的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),當(dāng)打開(kāi)時(shí)沒(méi)有電阻,關(guān)閉時(shí)...
基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成
CMOS技術(shù)是無(wú)數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計(jì)算工具的大腦。60多年來(lái),CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長(zhǎng),這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
FET 恒流源使用 JFET 和 MOSFET 來(lái)提供負(fù)載電流,盡管負(fù)載電阻或電源電壓發(fā)生變化,但仍保持恒定。
使用在線計(jì)算器FET-Jet Calculator的簡(jiǎn)單示例
碳化硅電子元件是最苛刻的工業(yè)、家用、汽車電源開(kāi)關(guān)操作的流行解決方案。實(shí)現(xiàn)此類電路需要設(shè)計(jì)人員遵循精確的計(jì)算線和數(shù)學(xué)公式,這就是 UnitedSiC 推出...
2022-07-26 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)FETCalculator 1903 0
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...
2022-07-26 標(biāo)簽:FETGaN電源系統(tǒng) 1788 0
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具...
如何使用FET組件設(shè)計(jì)Micro-Spy電路
FET T1 和 T2 是 BF245 N 溝道 FET 的型號(hào)。它可以用 NTE133 或 ECG312 代替。BA121變?nèi)荻O管可以更換為ECG/...
2022-06-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)FET諧振回路 1566 0
設(shè)計(jì)反激式轉(zhuǎn)換器時(shí)需要考慮的幾大關(guān)鍵因素
反激式轉(zhuǎn)換器有很多優(yōu)點(diǎn),例如它是成本最低的隔離式電源轉(zhuǎn)換器,可以輕松提供多個(gè)輸出電壓,它是簡(jiǎn)單的原邊控制器,可以提供高達(dá)300W的功率輸出。反激式轉(zhuǎn)換器...
2021-06-28 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器磁芯FET 3453 0
淺談結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成,柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì),其中通過(guò)溝道的電流以電子的形式為負(fù)。...
2021-06-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7485 0
北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院電子學(xué)系、納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張志勇教授課題組利用基于二硫化鉬(MoS2)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的生物傳感器,對(duì)新...
如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖
電源設(shè)計(jì)小貼士 17:緩沖反向轉(zhuǎn)換器
2018-08-08 標(biāo)簽:電壓fet反向轉(zhuǎn)換器 3730 0
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