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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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為應(yīng)對(duì)DRAM、NAND Flash芯片價(jià)格走低態(tài)勢(shì) 三星將削減資本支出
本周,三星電子發(fā)布了三季度財(cái)報(bào),當(dāng)季三星營(yíng)收65.4萬(wàn)億韓元(約合4032億人民幣),凈利潤(rùn)13.1萬(wàn)億韓元(約合807億人民幣),同比分別增長(zhǎng)17.5...
AI時(shí)代勢(shì)不可擋,HBM價(jià)格飆升突顯其核心價(jià)值
與傳統(tǒng)的DRAM相比,HBM擁有更高的數(shù)據(jù)容量和更低的功耗,使其成為需要高性能和高效率的人工智能應(yīng)用程序的理想選擇。 一位業(yè)內(nèi)人士表示,在人工智能計(jì)算...
2010年市場(chǎng)預(yù)測(cè): PC旺、零組件缺、封測(cè)緊
2010年市場(chǎng)預(yù)測(cè): PC旺、零組件缺、封測(cè)緊 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)的調(diào)查,今年第四季歐美感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷(xiāo)售情況在經(jīng)濟(jì)景氣復(fù)蘇及W...
NAND Flash價(jià)格綜合季跌幅近20% 第二季或有扭轉(zhuǎn)
集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋(píng)果新機(jī)銷(xiāo)售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年...
美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動(dòng)人工智能發(fā)展
美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納(Sumit Sadana)稱(chēng),公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能,同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì),使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...
NOR Flash行業(yè)將迎來(lái)拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求
在這一氛圍下,NOR Flash行業(yè)已開(kāi)始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出,預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮,預(yù)計(jì)明年1月起先漲...
HBM供應(yīng)商議價(jià)提前,2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分
至于為何供應(yīng)商提前議價(jià),吳雅婷解釋道,首先,HBM買(mǎi)家對(duì)于人工智能需求前景十分樂(lè)觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買(mǎi)家期望獲得品...
今日看點(diǎn)丨曝三星計(jì)劃Q3對(duì)DRAM、NAND漲價(jià)15%~20%;傳蘋(píng)果將大砍一半產(chǎn)線(xiàn)員工
1. 傳三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ,現(xiàn)已通報(bào)客戶(hù) ? 6月26日,多家媒體報(bào)道稱(chēng),三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(D...
撲朔迷離,2010存儲(chǔ)廠商前景難料 1985年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)低潮期所帶來(lái)的沖擊既深且巨,即使在市場(chǎng)復(fù)蘇后仍然留下了許多難以抹滅的傷害,如果沒(méi)有2001年...
SK海力士:挑戰(zhàn)美國(guó)限制,推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)
無(wú)錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無(wú)錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 563 0
DRAM漲價(jià)潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤(rùn)改善
報(bào)導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場(chǎng)過(guò)剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來(lái)首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片Nand flash 563 0
一種稱(chēng)為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù),它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲(chǔ)技術(shù)(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因?yàn)樗鼘⑻峁┮环N新...
瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程
瑞晶一向是臺(tái)系DRAM廠中制程轉(zhuǎn)換速度最快的業(yè)者,旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠領(lǐng)先在2011年轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,日前又在30納米制程上搶得頭籌,且比原訂進(jìn)度提...
明年存儲(chǔ)芯片恐缺貨 三星、SK海力士齊力能否扭轉(zhuǎn)乾坤
業(yè)界認(rèn)為,三星雖維持資本支出計(jì)劃,但主要是強(qiáng)化DDR5等新世代高階存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點(diǎn)聚焦高階新世代產(chǎn)品,并釋出大幅減產(chǎn)信息,意味主流DDR4...
若服務(wù)器和手機(jī)的需求回升 DRAM價(jià)格有望止跌回穩(wěn)
據(jù)SEMI估計(jì),去年全球DRAM投資金額約150億美元,今年全年的投資金額將有30%的下調(diào),若下半年服務(wù)器和手機(jī)的需求回升,DRAM價(jià)格有望止跌回穩(wěn)。
2019-01-23 標(biāo)簽:DRAM 558 0
三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)...
臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)DRAM產(chǎn)出影響不足1%
其中,美光的產(chǎn)能已轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程;其他三家公司主要停留在38/25nm節(jié)點(diǎn),出貨量相對(duì)較少。因此,只有美光可能對(duì)全球DRAM位元產(chǎn)出產(chǎn)生一定影響,預(yù)計(jì)二季...
南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開(kāi)發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存
近日,臺(tái)灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布,已與專(zhuān)業(yè)DRAM設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...
TrendForce:第三季全球DRAM總營(yíng)收成長(zhǎng)15.8%
TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,受惠于全球智慧型手機(jī)出貨成長(zhǎng),及記憶體搭載量不斷攀升,2016年第二季開(kāi)始DRAM...
DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯
TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
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