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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

為應(yīng)對(duì)DRAM、NAND Flash芯片價(jià)格走低態(tài)勢(shì) 三星將削減資本支出

本周,三星電子發(fā)布了三季度財(cái)報(bào),當(dāng)季三星營(yíng)收65.4萬(wàn)億韓元(約合4032億人民幣),凈利潤(rùn)13.1萬(wàn)億韓元(約合807億人民幣),同比分別增長(zhǎng)17.5...

2018-11-03 標(biāo)簽:DRAMNAND三星電子 579 0

AI時(shí)代勢(shì)不可擋,HBM價(jià)格飆升突顯其核心價(jià)值

AI時(shí)代勢(shì)不可擋,HBM價(jià)格飆升突顯其核心價(jià)值

與傳統(tǒng)的DRAM相比,HBM擁有更高的數(shù)據(jù)容量和更低的功耗,使其成為需要高性能和高效率的人工智能應(yīng)用程序的理想選擇。 一位業(yè)內(nèi)人士表示,在人工智能計(jì)算...

2024-03-01 標(biāo)簽:amdDRAM人工智能 578 0

2010年市場(chǎng)預(yù)測(cè): PC旺、零組件缺、封測(cè)緊

2010年市場(chǎng)預(yù)測(cè): PC旺、零組件缺、封測(cè)緊 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)的調(diào)查,今年第四季歐美感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷(xiāo)售情況在經(jīng)濟(jì)景氣復(fù)蘇及W...

2009-12-30 標(biāo)簽:DRAM晶圓代工 578 0

NAND Flash價(jià)格綜合季跌幅近20% 第二季或有扭轉(zhuǎn)

集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋(píng)果新機(jī)銷(xiāo)售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年...

2019-03-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 576 0

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動(dòng)人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納(Sumit Sadana)稱(chēng),公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能,同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì),使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...

2024-02-27 標(biāo)簽:DRAM美光HBM 574 0

NOR Flash行業(yè)將迎來(lái)拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求

在這一氛圍下,NOR Flash行業(yè)已開(kāi)始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出,預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮,預(yù)計(jì)明年1月起先漲...

2023-12-26 標(biāo)簽:DRAMNANDNOR flash 570 0

HBM供應(yīng)商議價(jià)提前,2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分

 至于為何供應(yīng)商提前議價(jià),吳雅婷解釋道,首先,HBM買(mǎi)家對(duì)于人工智能需求前景十分樂(lè)觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買(mǎi)家期望獲得品...

2024-05-07 標(biāo)簽:DRAM人工智能HBM 567 0

今日看點(diǎn)丨曝三星計(jì)劃Q3對(duì)DRAM、NAND漲價(jià)15%~20%;傳蘋(píng)果將大砍一半產(chǎn)線(xiàn)員工

1. 傳三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ,現(xiàn)已通報(bào)客戶(hù) ? 6月26日,多家媒體報(bào)道稱(chēng),三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(D...

2024-06-27 標(biāo)簽:DRAMNAND蘋(píng)果 565 0

撲朔迷離,2010存儲(chǔ)廠商前景難料

撲朔迷離,2010存儲(chǔ)廠商前景難料 1985年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)低潮期所帶來(lái)的沖擊既深且巨,即使在市場(chǎng)復(fù)蘇后仍然留下了許多難以抹滅的傷害,如果沒(méi)有2001年...

2010-02-04 標(biāo)簽:DRAMNOR 563 0

SK海力士:挑戰(zhàn)美國(guó)限制,推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)

無(wú)錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無(wú)錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。

2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 563 0

DRAM漲價(jià)潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤(rùn)改善

報(bào)導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場(chǎng)過(guò)剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來(lái)首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價(jià)。

2024-01-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片Nand flash 563 0

通用選擇器可有效解決行錘干擾的DRAM問(wèn)題

一種稱(chēng)為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù),它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲(chǔ)技術(shù)(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因?yàn)樗鼘⑻峁┮环N新...

2020-10-14 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器MRAM 562 0

瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

瑞晶一向是臺(tái)系DRAM廠中制程轉(zhuǎn)換速度最快的業(yè)者,旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠領(lǐng)先在2011年轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,日前又在30納米制程上搶得頭籌,且比原訂進(jìn)度提...

2011-11-23 標(biāo)簽:DRAM瑞晶 561 0

明年存儲(chǔ)芯片恐缺貨 三星、SK海力士齊力能否扭轉(zhuǎn)乾坤

業(yè)界認(rèn)為,三星雖維持資本支出計(jì)劃,但主要是強(qiáng)化DDR5等新世代高階存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點(diǎn)聚焦高階新世代產(chǎn)品,并釋出大幅減產(chǎn)信息,意味主流DDR4...

2023-05-24 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片SK海力士 558 0

若服務(wù)器和手機(jī)的需求回升 DRAM價(jià)格有望止跌回穩(wěn)

據(jù)SEMI估計(jì),去年全球DRAM投資金額約150億美元,今年全年的投資金額將有30%的下調(diào),若下半年服務(wù)器和手機(jī)的需求回升,DRAM價(jià)格有望止跌回穩(wěn)。

2019-01-23 標(biāo)簽:DRAM 558 0

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)...

2009-11-18 標(biāo)簽:DRAM三星電子 558 0

臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)DRAM產(chǎn)出影響不足1%

其中,美光的產(chǎn)能已轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程;其他三家公司主要停留在38/25nm節(jié)點(diǎn),出貨量相對(duì)較少。因此,只有美光可能對(duì)全球DRAM位元產(chǎn)出產(chǎn)生一定影響,預(yù)計(jì)二季...

2024-04-11 標(biāo)簽:DRAM美光先進(jìn)制程 557 0

南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開(kāi)發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

近日,臺(tái)灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布,已與專(zhuān)業(yè)DRAM設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...

2024-12-20 標(biāo)簽:DRAM帶寬內(nèi)存 557 0

TrendForce:第三季全球DRAM總營(yíng)收成長(zhǎng)15.8%

TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,受惠于全球智慧型手機(jī)出貨成長(zhǎng),及記憶體搭載量不斷攀升,2016年第二季開(kāi)始DRAM...

2016-11-25 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAM三星電子 556 0

DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。

2025-02-08 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 555 0

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    寒武紀(jì)
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    Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持,供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品,涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別,并特別專(zhuān)注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷(xiāo)產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開(kāi)關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線(xiàn)束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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