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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世
一次偶然的機(jī)會(huì),登納德靈光一閃,想到利用單個(gè)晶體管中的電容正負(fù)極來(lái)記錄數(shù)據(jù),并通過(guò)反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年
SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...
HBM內(nèi)存市場(chǎng)旺盛,2025年產(chǎn)能與市場(chǎng)份額將攀升
該報(bào)告顯示,2023 年 HBM 在市場(chǎng)中的占比僅為 2%,但預(yù)計(jì)今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場(chǎng)份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...
SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠(chǎng)。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲,以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大...
AMD與臺(tái)積電聯(lián)手推動(dòng)先進(jìn)工藝發(fā)展
展望未來(lái),臺(tái)積電正通過(guò)多個(gè)方向推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展:包括硅光子學(xué)的研發(fā)、與DRAM廠(chǎng)商在HBM領(lǐng)域的深度合作以及探索將3D堆疊技術(shù)應(yīng)用于晶體管層級(jí)的C...
SK海力士考慮在美國(guó)或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠(chǎng)
據(jù)了解,由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲,預(yù)計(jì)今年內(nèi)存市場(chǎng)需求將顯著上升。一位不愿具名的半導(dǎo)體高管表示,“我們得知,SK海力士不僅愿意在韓國(guó)設(shè)立新廠(chǎng),同時(shí)也在...
三星和AMD日前宣布達(dá)成了一項(xiàng)價(jià)值30億美元的合作協(xié)議,引起了半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大轟動(dòng)。
存儲(chǔ)芯片行業(yè)曙光初現(xiàn),上下游漲價(jià)拉鋸戰(zhàn)持續(xù)
進(jìn)入4月,固態(tài)硬盤(pán)的現(xiàn)貨價(jià)格保持穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)部分產(chǎn)品價(jià)格高于官方售價(jià)的倒掛現(xiàn)象,進(jìn)而引發(fā)了跌價(jià)。
2024-04-28 標(biāo)簽:DRAM固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)芯片 1339 0
江波龍國(guó)際合規(guī)成果顯著,Lexar美國(guó)業(yè)務(wù)解約
江波龍強(qiáng)調(diào),此次重大突破不僅使Lexar(雷克沙)的業(yè)務(wù)運(yùn)作更具靈活性,產(chǎn)品與服務(wù)更具效率與創(chuàng)新力,以更好地滿(mǎn)足消費(fèi)者需求,提升用戶(hù)體驗(yàn)。同時(shí),這也彰顯...
SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào),創(chuàng)歷史同期新高
本季度,SK海力士實(shí)現(xiàn)了歷史最高的收入水平,同時(shí)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)也刷新了自 2018 年以來(lái)的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長(zhǎng)期低迷后的全面復(fù)蘇。
韓國(guó)創(chuàng)新型相變存儲(chǔ)器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點(diǎn)
然而,盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性?xún)蓚€(gè)優(yōu)點(diǎn),但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高,同時(shí)還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài),導(dǎo)致生產(chǎn)過(guò)程耗電量巨大。
SK海力士擴(kuò)充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能
SK海力士將于本月底啟動(dòng)建設(shè)工程,預(yù)計(jì)2025年11月完工并開(kāi)始量產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計(jì)向M15X投資超過(guò)20萬(wàn)億韓元,以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。
SK海力士提升AI基建產(chǎn)能,助力韓國(guó)成為AI半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)
SK海力士計(jì)劃在本月底啟動(dòng)建設(shè),預(yù)計(jì)到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計(jì)在M15X的總投資額將超過(guò)20萬(wàn)億韓元,以此來(lái)...
SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
東芝計(jì)劃裁員5000人,積極為基建和數(shù)字技術(shù)業(yè)務(wù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)
此次裁員主要針對(duì)總公司支持部門(mén),旨在優(yōu)化成本結(jié)構(gòu),為基礎(chǔ)設(shè)施與數(shù)字科技領(lǐng)域的新增長(zhǎng)鋪路。東芝一直致力于降低龐大業(yè)務(wù)成本,并將重心轉(zhuǎn)向基礎(chǔ)設(shè)施及數(shù)字科技業(yè)務(wù)。
2024-04-19 標(biāo)簽:東芝DRAM先進(jìn)技術(shù) 559 0
SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作,推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?
據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,...
三星計(jì)劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存
TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝,相比無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會(huì)相應(yīng)增加。
2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM三星半導(dǎo)體HBM 1027 0
三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高
值得注意的是,此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米...
三星推出專(zhuān)為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日,三星宣布已開(kāi)發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
“神仙打架”的車(chē)企背后,智能汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么?
2024 年伊始,汽車(chē)市場(chǎng)就開(kāi)始彌漫著濃濃的硝煙味道,年味還沒(méi)散盡,比亞迪就用“電比油低”揭開(kāi)了新一輪“戰(zhàn)爭(zhēng)”序幕。
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