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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世

一次偶然的機(jī)會(huì),登納德靈光一閃,想到利用單個(gè)晶體管中的電容正負(fù)極來(lái)記錄數(shù)據(jù),并通過(guò)反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。

2024-05-06 標(biāo)簽:電容DRAM晶體管 774 0

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 895 0

HBM內(nèi)存市場(chǎng)旺盛,2025年產(chǎn)能與市場(chǎng)份額將攀升

該報(bào)告顯示,2023 年 HBM 在市場(chǎng)中的占比僅為 2%,但預(yù)計(jì)今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場(chǎng)份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...

2024-05-06 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存HBM 1101 0

SK海力士考慮新建DRAM工廠(chǎng)

SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠(chǎng)。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲,以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大...

2024-05-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士 781 0

AMD與臺(tái)積電聯(lián)手推動(dòng)先進(jìn)工藝發(fā)展

展望未來(lái),臺(tái)積電正通過(guò)多個(gè)方向推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展:包括硅光子學(xué)的研發(fā)、與DRAM廠(chǎng)商在HBM領(lǐng)域的深度合作以及探索將3D堆疊技術(shù)應(yīng)用于晶體管層級(jí)的C...

2024-04-29 標(biāo)簽:DRAM臺(tái)積電晶體管 684 0

SK海力士考慮在美國(guó)或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠(chǎng)

據(jù)了解,由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲,預(yù)計(jì)今年內(nèi)存市場(chǎng)需求將顯著上升。一位不愿具名的半導(dǎo)體高管表示,“我們得知,SK海力士不僅愿意在韓國(guó)設(shè)立新廠(chǎng),同時(shí)也在...

2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMSK海力士 564 0

三星與AMD達(dá)成30億美元合作協(xié)議

三星和AMD日前宣布達(dá)成了一項(xiàng)價(jià)值30億美元的合作協(xié)議,引起了半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大轟動(dòng)。

2024-04-28 標(biāo)簽:amdDRAMHBM 1066 0

存儲(chǔ)芯片行業(yè)曙光初現(xiàn),上下游漲價(jià)拉鋸戰(zhàn)持續(xù)

進(jìn)入4月,固態(tài)硬盤(pán)的現(xiàn)貨價(jià)格保持穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)部分產(chǎn)品價(jià)格高于官方售價(jià)的倒掛現(xiàn)象,進(jìn)而引發(fā)了跌價(jià)。

2024-04-28 標(biāo)簽:DRAM固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)芯片 1339 0

江波龍國(guó)際合規(guī)成果顯著,Lexar美國(guó)業(yè)務(wù)解約

江波龍強(qiáng)調(diào),此次重大突破不僅使Lexar(雷克沙)的業(yè)務(wù)運(yùn)作更具靈活性,產(chǎn)品與服務(wù)更具效率與創(chuàng)新力,以更好地滿(mǎn)足消費(fèi)者需求,提升用戶(hù)體驗(yàn)。同時(shí),這也彰顯...

2024-04-26 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器江波龍 966 0

SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào),創(chuàng)歷史同期新高

本季度,SK海力士實(shí)現(xiàn)了歷史最高的收入水平,同時(shí)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)也刷新了自 2018 年以來(lái)的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長(zhǎng)期低迷后的全面復(fù)蘇。

2024-04-25 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM3 928 0

韓國(guó)創(chuàng)新型相變存儲(chǔ)器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點(diǎn)

然而,盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性?xún)蓚€(gè)優(yōu)點(diǎn),但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高,同時(shí)還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài),導(dǎo)致生產(chǎn)過(guò)程耗電量巨大。

2024-04-25 標(biāo)簽:PCMDRAM存儲(chǔ)器 821 0

SK海力士擴(kuò)充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能

SK海力士將于本月底啟動(dòng)建設(shè)工程,預(yù)計(jì)2025年11月完工并開(kāi)始量產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計(jì)向M15X投資超過(guò)20萬(wàn)億韓元,以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。

2024-04-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1096 0

SK海力士提升AI基建產(chǎn)能,助力韓國(guó)成為AI半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)

SK海力士計(jì)劃在本月底啟動(dòng)建設(shè),預(yù)計(jì)到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外,公司還將逐步增加設(shè)備投資,預(yù)計(jì)在M15X的總投資額將超過(guò)20萬(wàn)億韓元,以此來(lái)...

2024-04-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMSK海力士 881 0

SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

2024-04-23 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 1120 0

東芝計(jì)劃裁員5000人,積極為基建和數(shù)字技術(shù)業(yè)務(wù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)

此次裁員主要針對(duì)總公司支持部門(mén),旨在優(yōu)化成本結(jié)構(gòu),為基礎(chǔ)設(shè)施與數(shù)字科技領(lǐng)域的新增長(zhǎng)鋪路。東芝一直致力于降低龐大業(yè)務(wù)成本,并將重心轉(zhuǎn)向基礎(chǔ)設(shè)施及數(shù)字科技業(yè)務(wù)。

2024-04-19 標(biāo)簽:東芝DRAM先進(jìn)技術(shù) 559 0

SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作,推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?

據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,...

2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM封裝gpu 967 0

三星計(jì)劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存

TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝,相比無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會(huì)相應(yīng)增加。

2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM三星半導(dǎo)體HBM 1027 0

三星LPDDR5X DRAM內(nèi)存創(chuàng)10.7Gbps速率新高

值得注意的是,此前市場(chǎng)上其他品牌的LPDDR5X DRAM內(nèi)存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內(nèi)存采用12納米...

2024-04-17 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存三星 1074 0

三星推出專(zhuān)為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

近日,三星宣布已開(kāi)發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。

2024-04-17 標(biāo)簽:處理器DRAM加速器 983 0

“神仙打架”的車(chē)企背后,智能汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么?

2024 年伊始,汽車(chē)市場(chǎng)就開(kāi)始彌漫著濃濃的硝煙味道,年味還沒(méi)散盡,比亞迪就用“電比油低”揭開(kāi)了新一輪“戰(zhàn)爭(zhēng)”序幕。

2024-04-17 標(biāo)簽:DRAMNAND智能汽車(chē) 1032 0

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  • 貿(mào)澤電子
    貿(mào)澤電子
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    貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商,分銷(xiāo)1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專(zhuān)注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù),為設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
  • 寒武紀(jì)
    寒武紀(jì)
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  • 半導(dǎo)體芯片
    半導(dǎo)體芯片
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    半導(dǎo)體芯片:在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕,布線(xiàn),制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片,常見(jiàn)的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒,所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它),鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車(chē)有潮流。二十世紀(jì)七十年代,因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(D-RAM)市場(chǎng)占上風(fēng)。
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    EnOcean
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    德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線(xiàn)能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月,國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線(xiàn)通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”,這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線(xiàn)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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    Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持,供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品,涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別,并特別專(zhuān)注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷(xiāo)產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開(kāi)關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線(xiàn)束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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    北京時(shí)間2017年2月26日,華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017(MWC)上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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    MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾,擁有超過(guò)60年的歷史。總部設(shè)在美國(guó)洛厄爾,馬薩諸塞州。
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    上海安路信息科技有限公司成立于2011年,總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專(zhuān)注于為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比的可編程邏輯器件(FPGA)、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC)、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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    長(zhǎng)電科技
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    長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證,以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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