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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 H...
華邦自DDR2時期就深入物聯網、汽車、工業、電信等高附加值領域,而隨著制程升級至DDR3階段,該公司開始加大對DDR3產能建設的投資力度。高雄工廠今年引...
盡管韓國在邏輯芯片市場的地位有所下滑,但得益于AI芯片需求的激增,DRAM市場如高帶寬存儲器(HBM)等產品需求旺盛,韓國DRAM產能將從2022年的5...
據此,現有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內存的開發和優化,而今年三月份新設立的HBM產能與質量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
兆易創新近日在業績說明會上展望了公司未來的發展藍圖。公司高管表示,面對2024年營收目標73億元的挑戰,兆易創新將保持戰略定力,致力于擴大市場占有率和提...
具體而言,現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發,而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。
電子發燒友網報道(文/周凱揚)作為存儲行業當下的新寵,HBM在AI的推動下,已經陷入了前所未有的市場狂熱。最大的噱頭自然是產能之爭,比如SK海力士表示明...
全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光,計劃在今年三季度到明年逐步實現1cnm的量產。然而,1dnm工藝則排在1cnm之后,預計量...
首先來看DRAM內存,TrendForce原本預測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%,現在已調整為13~18%。至于NAND閃存,原預測漲幅為13...
HBM供應商議價提前,2025年HBM產能產值或超DRAM 3分
至于為何供應商提前議價,吳雅婷解釋道,首先,HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買家期望獲得品...
一次偶然的機會,登納德靈光一閃,想到利用單個晶體管中的電容正負極來記錄數據,并通過反復充電實現數據動態刷新。這一創新理念奠定了 DRAM 內存的基礎。
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基...
該報告顯示,2023 年 HBM 在市場中的占比僅為 2%,但預計今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...
SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大...
展望未來,臺積電正通過多個方向推動半導體行業持續發展:包括硅光子學的研發、與DRAM廠商在HBM領域的深度合作以及探索將3D堆疊技術應用于晶體管層級的C...
據了解,由于龍仁芯片集群的投產延遲,預計今年內存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導體高管表示,“我們得知,SK海力士不僅愿意在韓國設立新廠,同時也在...
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