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      標簽　>　dram

      dram

      dram

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      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2276個 瀏覽：185758次 帖子：82個

      dram資訊

      美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

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      2024-03-05 標簽：DRAM美光光刻技術 1069 0

      全球DRAM產(chǎn)業(yè)量價雙升，三大原廠獲益

      三星作為行業(yè)領軍者，在本季度DRAM營收達到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務器DRAM出貨量躍增逾60％。

      2024-03-05 標簽：DRAM服務器三星 906 0

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      HBM的競爭才剛剛開始。

      2024-03-05 標簽：DRAM存儲器人工智能 986 0

      端接電阻沒選對，DDR顆粒白費？

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      端接可以解決很多反射問題，如果還有問題，有沒有一種可能是端接電阻阻值沒選對？

      2024-03-04 標簽：電阻DRAMDDR 985 0

      AI時代勢不可擋，HBM價格飆升突顯其核心價值

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      與傳統(tǒng)的DRAM相比，HBM擁有更高的數(shù)據(jù)容量和更低的功耗，使其成為需要高性能和高效率的人工智能應用程序的理想選擇。 一位業(yè)內(nèi)人士表示，在人工智能計算...

      2024-03-01 標簽：amdDRAM人工智能 752 0

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      美光科技宣布將投資10億美元在新加坡建設一家新的先進封裝和測試工廠

      2024-02-27 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 1874 0

      三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

      2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。

      2024-02-27 標簽：DRAM三星電子存儲器 1178 0

      美光科技批量生產(chǎn)HBM3E，推動人工智能發(fā)展

      美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領域穩(wěn)占...

      2024-02-27 標簽：DRAM美光HBM 623 0

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      下一代工作負載和AI帶來的巨大數(shù)據(jù)引力，客戶需要更快且更具成本效益的解決方案。

      2024-02-26 標簽：驅動器DRAMSSD 1319 0

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      長期以來，人們一直期望持久內(nèi)存會帶來計算范式的轉變，但這不太可能很快發(fā)生。

      2024-02-25 標簽：CMOSDRAM人工智能 1439 0

      東京電子市值躍升至日本第三，人工智能與半導體設備推動公司增長

      作為日本最大的半導體制造設備供應商，東京電子的銷售額在全球半導體設備制造商中排名第四。根據(jù)2月21日數(shù)據(jù)，以美元衡量，其市值在全球半導體相關公司中占據(jù)第12位。

      2024-02-25 標簽：半導體DRAM供應商 2372 0

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      2024-02-23 標簽：DRAMNand存儲芯片 886 0

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      內(nèi)存技術作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關重要。

      2024-02-23 標簽：DRAMDDR內(nèi)存技術 1848 0

      持久內(nèi)存（PMEM）將成為DRAM的替代者？

      SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，如SK海力士和美光研發(fā)的鉿鐵電隨機存取內(nèi)存，盡管已達到現(xiàn)代DRA...

      2024-02-22 標簽：DRAM服務器SK海力士 2952 0

      新型內(nèi)存技術助力存儲網(wǎng)絡變革，將替代DRAM

      　值得注意的是，持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲器的結合體，具備迅速持久化特性，對于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題，存在突破解決之道。

      2024-02-22 標簽：DRAM存儲器硬盤 993 0

      坂本幸雄逝世，享年77歲，曾為日本半導體之父

      在日本芯片產(chǎn)業(yè)之中，坂本幸雄具有舉足輕重的地位及杰出貢獻。1970年踏入日本德州儀器之后，他曾任日本德儀副社長、聯(lián)日半導體社長等要職；2002至2013...

      2024-02-22 標簽：半導體DRAM芯片產(chǎn)業(yè) 1903 0

      2023年存儲芯片公司業(yè)績爆冷，存貨周轉高達635天，DRAM反轉漲價

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）近期，國內(nèi)多家存儲芯片上市公司發(fā)布2023年業(yè)績預告。為了了解去年存儲芯片企業(yè)的發(fā)展情況，電子發(fā)燒友整理了存儲芯片業(yè)務占比超...

      2024-02-22 標簽：DRAM存儲存儲芯片 5930 0

      英特爾有望今年趕超臺積電？行業(yè)巨頭競爭白熱化

      除了直接代工廠客戶外，英特爾還一直在與其他半導體代工廠達成交易。當英特爾收購 Tower Semiconductor 的交易于 2023 年 8 月被否...

      2024-02-21 標簽：fpga英特爾DRAM 1019 0

      存儲器市場價格走勢預測：2024年回升

      據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，即便上半年市場終端需求有所下滑，原廠對DRAM和NAND Flash的價格調(diào)整仍保持溫和態(tài)勢，以便應對傳統(tǒng)旺季時供應更加緊張的情況。他們...

      2024-02-20 標簽：DRAMNAND存儲器 1876 0

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        東軟集團是中國領先的IT解決方案與服務供應商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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