消息稱(chēng)蘋(píng)果 A17、英特爾包攬臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能

1月15日消息 據(jù)供應(yīng)鏈權(quán)威媒體 Digitimes 報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電所定于 2021 年支的 250 億~ 280 億美元中大部分（超過(guò) ...

2021-01-15 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電蘋(píng)果 2086 0

高通3nm驍龍8 Gen4處理器，仍由臺(tái)積電代工

高通的下一代旗艦處理器驍龍8 Gen 4仍然將由臺(tái)積電獨(dú)家代工，而不是之前傳聞的臺(tái)積電和三星的雙代工模式。

2023-12-01 標(biāo)簽：處理器高通臺(tái)積電 2046 0

英特爾20A、18A工藝流片，臺(tái)積電面臨挑戰(zhàn)

英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開(kāi)始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電...

2023-12-20 標(biāo)簽：處理器英特爾臺(tái)積電 2039 0

三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片

近日，三星電子震撼發(fā)布了其專(zhuān)為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000，標(biāo)志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。這款尖端芯片...

2024-07-05 標(biāo)簽：三星電子可穿戴設(shè)備3nm 2025 0

三星即將公布首顆3nm芯片，或?qū)⑴まD(zhuǎn)訂單數(shù)量

在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域，三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭，不過(guò)在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片，在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周，三星將正式展示最新...

2022-07-25 標(biāo)簽：芯片3nm三星 1959 0

新思科技攜手三星加快3nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的收斂和簽核

雙方合作包括多個(gè)簽核域和跨庫(kù)特征提取，以加速設(shè)計(jì)收斂 簽核解決方案的創(chuàng)新能夠解決從5納米到3納米的獨(dú)特挑戰(zhàn)，以確保簽核準(zhǔn)確性，并將運(yùn)行速度提高20倍、內(nèi)...

2021-01-11 標(biāo)簽：三星電子新思科技3nm 1919 0

臺(tái)積電將于2022下半年開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片 首發(fā)蘋(píng)果A16

至少就目前而言，臺(tái)積電的先進(jìn)制程沒(méi)華為什么事兒了，如果不出現(xiàn)大意外的話，短期的未來(lái)幾年內(nèi)，臺(tái)積電的新工藝將由蘋(píng)果首發(fā)。 新浪科技報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電將于202...

2020-11-25 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電蘋(píng)果 1910 0

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

一篇拆解報(bào)告，稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA...

2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體行業(yè)3nm三星 1887 0

臺(tái)積電2nm芯片預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

　　臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公開(kāi)了未來(lái)先進(jìn)制程的信息，其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片，預(yù)...

2022-07-01 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 1884 0

三星在3nm率先使用GAA 是否更具競(jìng)爭(zhēng)力

而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3n...

2022-08-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nmGAA 1874 0

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開(kāi)...

2022-06-30 標(biāo)簽：3nm2nmGAA 1842 0

2021年將是3nm工藝大戰(zhàn)的序幕

上周，業(yè)內(nèi)最受關(guān)注的新聞，非三星計(jì)劃在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀建設(shè)一個(gè)價(jià)值100億美元的晶圓廠莫屬了。這被認(rèn)為是其追趕臺(tái)積電發(fā)展步伐的又一舉措。實(shí)際上，三星...

2021-01-27 標(biāo)簽：芯片三星電子臺(tái)積電 1795 0

Intel CEO基辛格再度訪問(wèn)臺(tái)積電，將要就3nm工藝事宜展開(kāi)會(huì)談

近日，有消息稱(chēng)Intel的CEO基辛格將于8月份再度前往臺(tái)積電，雙方計(jì)劃就3nm相關(guān)事宜展開(kāi)討論。 此前intel放出的IDM2.0戰(zhàn)略計(jì)劃圖中有著3n...

2022-07-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電intel3nm 1750 0

臺(tái)積電不考慮進(jìn)駐龍?zhí)?中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門(mén)：最先進(jìn)制程留臺(tái)不變

最近，中國(guó)臺(tái)灣龍?zhí)犊茖W(xué)園區(qū)三期土地征收擴(kuò)大計(jì)劃遭到地方居民的抗議。臺(tái)積電表示，公司作為科學(xué)園區(qū)土地的企業(yè)租賃者，公園規(guī)劃是相關(guān)部門(mén)的權(quán)限，公司尊重居民和...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)臺(tái)積電3nm 1727 0

三星已找到第二家3nm芯片客戶 產(chǎn)能開(kāi)始供不應(yīng)求

臺(tái)積電日前因?yàn)镮ntel幾乎取消明年的3nm訂單一事備受熱議，這被視為3nm工藝的一次打擊，不過(guò)對(duì)三星來(lái)說(shuō)這倒是好事，韓國(guó)媒體爆料稱(chēng)三星的3nm客戶量已...

2022-08-11 標(biāo)簽：芯片供應(yīng)商3nm三星 1723 0

臺(tái)積電3nm和5nm同期良率相當(dāng)，3nm將大量生產(chǎn)

“3nm和5nm同期良率相當(dāng)，也已經(jīng)客戶共同開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品并大量生產(chǎn)。”相較于5nm技術(shù)，3nm密度增加60%，相同速度下功耗降低30%-35%，臺(tái)積電指出...

2022-12-30 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm 1667 0