臺積電在北美技術論壇上公開了未來先進制程的信息,其3nm芯片將于2022年內量產,而首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術的2nm制程工藝芯片,預計將于2025年實現量產。
臺積電2nm芯片于3nm相比,性能提升速度快 10-15%,功耗降低25%-30%,密度增加了1.1倍以上,2nm工藝采用新納米片晶體管結構,而不是鰭式場效應晶體管結構,GAAFET技術可減少漏電損耗,降低功耗。
臺積電或將建成4座12英寸晶圓廠,用于制造2nm芯片,該新工藝未來將廣泛應用于各種移動SoC、高性能CPU和GPU等領域。
綜合整理自貝果財經、IT之家
審核編輯:湯梓紅
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