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閃存

閃存

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閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

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閃存資訊

閃存門后時(shí)代,華為手機(jī)增速減緩,OPPO或可超越成為國(guó)內(nèi)第一!

近日,各大調(diào)研機(jī)構(gòu)的全球智能手機(jī)市場(chǎng)報(bào)告開始發(fā)布,在17年的第一季度,華為手機(jī)出貨量沒有爭(zhēng)議的繼續(xù)排名全球第三,雄踞國(guó)內(nèi)第一寶座。而根據(jù)國(guó)外知名研究機(jī)構(gòu)...

2017-05-12 標(biāo)簽:閃存華為oppo 927 0

NOR FLASH目前仍是汽車行業(yè)的首選,其原因是什么

汽車應(yīng)用需要合格的存儲(chǔ)設(shè)備,這些設(shè)備將在承受極端溫度的嵌入式環(huán)境中持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間。這就是norflash繼續(xù)尋找新機(jī)會(huì)的原因之一。 例如需求由電信的可靠性...

2020-11-25 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器 926 0

產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)

  JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布,將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會(huì)上,該標(biāo)準(zhǔn)...

2010-12-21 標(biāo)簽:閃存JEDEC 923 0

Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今天宣布推出一個(gè)新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。

2013-12-31 標(biāo)簽:閃存Spansion 923 0

中端存儲(chǔ)勢(shì)頭強(qiáng)勁,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)領(lǐng)跑

與中低端存儲(chǔ)相比,高端存儲(chǔ)擁有更大的容量和更強(qiáng)的可擴(kuò)展性,在與大量主機(jī)相連的同時(shí)也具備高性能和高可用性。但采購(gòu)成本對(duì)于中端用戶來(lái)說(shuō)是一個(gè)關(guān)鍵的考慮因素。...

2019-07-13 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ) 922 0

如何看待TMS推出高利用率RamSan閃存陣列

許多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如Violin Memory之前曾批評(píng)TMS RamSan閃存SAN陣列不能提供企業(yè)運(yùn)行業(yè)務(wù)關(guān)鍵應(yīng)用時(shí)所需求的高利用率功能。

2020-07-24 標(biāo)簽:閃存RAM 921 0

美光科技擬上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià),漲幅預(yù)計(jì)突破20%

就在幾天前的4月3日,臺(tái)灣花蓮縣海域遭受了一場(chǎng)7.3級(jí)的強(qiáng)烈地震,并伴隨著多次余震,給當(dāng)?shù)貛?lái)了嚴(yán)重的破壞。

2024-04-10 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 921 0

ISSI最新推出符合AEC-Q100要求的512Mb SPI NOR閃存

ISSI是一家無(wú)晶圓廠的半導(dǎo)體公司,為以下主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售高性能集成電路:汽車和通信,工業(yè)和醫(yī)療以及數(shù)字消費(fèi)者。ISSI的主要產(chǎn)品是SRAM,DR...

2020-08-27 標(biāo)簽:閃存汽車電子 919 0

西部數(shù)據(jù)攜手鎧俠推出第八代3D閃存技術(shù)

采用突破性縮放和晶圓鍵合技術(shù)的架構(gòu)創(chuàng)新,在性能、密度和成本效益方面實(shí)現(xiàn)了重大飛躍 2023 年 4 月 3日,上海?- 西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ:WD...

2023-04-03 標(biāo)簽:閃存3D西部數(shù)據(jù) 916 0

閃存榮光:即貼即用,萬(wàn)次擦寫不作死?

閃存榮光:即貼即用,萬(wàn)次擦寫不作死?

NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù),其中NANDFlash存儲(chǔ)器具有容量較大,擦寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧?然...

2023-03-31 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器 915 0

閃存芯價(jià)格大漲 蘋果或取消擴(kuò)大內(nèi)存計(jì)劃

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊:蘋果秋季將推出十年版手機(jī),升級(jí)內(nèi)容比較多,其中內(nèi)存據(jù)傳可能達(dá)到4GB或是更高,創(chuàng)下蘋果手機(jī)歷史最高。不過(guò)據(jù)外媒最新消息,市場(chǎng)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)...

2017-05-04 標(biāo)簽:閃存蘋果 913 0

存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競(jìng)相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別,并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND閃存 910 0

新華三在存儲(chǔ)領(lǐng)域的最新技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展淺析

北京,2018年12月11日——以“智數(shù)據(jù),創(chuàng)未來(lái)”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京召開,來(lái)自政府部門、高校與科研機(jī)構(gòu)以及業(yè)界領(lǐng)先廠商的技術(shù)專家...

2018-12-13 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)新華三 910 0

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Z...

2024-05-09 標(biāo)簽:閃存NANDSK海力士 910 0

戴爾易安信利用全方位存儲(chǔ)產(chǎn)品組合打造現(xiàn)代化數(shù)據(jù)中心

在近日舉辦的戴爾科技峰會(huì)2018上,戴爾科技完整展示了從邊緣計(jì)算到核心數(shù)據(jù)中心到云計(jì)算的創(chuàng)新產(chǎn)品組合與解決方案。 我們重點(diǎn)來(lái)看看戴爾科技集團(tuán)旗下戴爾易安...

2018-12-04 標(biāo)簽:閃存戴爾存儲(chǔ) 900 0

NvMe成為閃存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn) 帶來(lái)更卓越的性能和更快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)響應(yīng)速度

NvMe成為閃存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn) 帶來(lái)更卓越的性能和更快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)響應(yīng)速度

近年來(lái),NVMe SSD已逐漸成為數(shù)據(jù)中心閃存市場(chǎng)的確定的發(fā)展大勢(shì),各大廠商不約而同地推出了基于NVMe的新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品,用戶也相應(yīng)地提高了對(duì)NVMe ...

2020-07-30 標(biāo)簽:閃存SSDnvme 897 0

閃存創(chuàng)新的四個(gè)方向,西部數(shù)據(jù)出招

閃存創(chuàng)新的四個(gè)方向,西部數(shù)據(jù)出招

毫無(wú)疑問(wèn),存儲(chǔ)行業(yè)是一個(gè)是具有較強(qiáng)周期性和宏觀性的行業(yè)。 西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)張丹女士在日前舉辦的“2024存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)“上的演講中指出,存儲(chǔ)...

2023-11-16 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 895 0

震撼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD

震撼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD

震撼存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),IMFT發(fā)布25nm SSD 去年8月份,Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤,從50nm進(jìn)化至34...

2010-02-02 標(biāo)簽:閃存NAND 894 0

鎧俠預(yù)測(cè):2028年前閃存需求將激增2.7倍,受AI發(fā)展推動(dòng)

在人工智能技術(shù)的蓬勃推動(dòng)下,芯片制造商鎧俠于11月5日宣布,預(yù)計(jì)未來(lái)五年內(nèi)(至2028年),閃存市場(chǎng)需求將大幅增長(zhǎng)約2.7倍。這一預(yù)測(cè)基于當(dāng)前人工智能技...

2024-11-06 標(biāo)簽:閃存人工智能鎧俠 890 0

泛林回應(yīng)美國(guó)AI芯片出口管制新規(guī):預(yù)計(jì)不會(huì)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響

泛林集團(tuán)因?yàn)槿ツ臧l(fā)表的美國(guó)最近的出口限制規(guī)定,遭受了約20億美元的銷售損失。泛林集團(tuán)認(rèn)為,公司在中國(guó)的事業(yè)在第二季度和未來(lái)將繼續(xù)保持強(qiáng)勁勢(shì)頭。首席財(cái)務(wù)官...

2023-10-19 標(biāo)簽:閃存AI芯片泛林集團(tuán) 889 0

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    HDD
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    HDD,Hard Disk Drive的縮寫,即硬盤驅(qū)動(dòng)器的英文名。最基本的電腦存儲(chǔ)器,電腦中常說(shuō)的電腦硬盤C盤、D盤為磁盤分區(qū)都屬于硬盤驅(qū)動(dòng)器。硬盤一般常見的磁盤容量為80G、128G、160G、256G、320G、500G、750G、1TB、2TB等等。
  • microSD
    microSD
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    Micro SD卡是一種極細(xì)小的快閃存儲(chǔ)器卡,其格式源自SanDisk創(chuàng)造,原本這種記憶卡稱為T-Flash,及后改稱為Trans Flash;而重新命名為Micro SD的原因是因?yàn)楸籗D協(xié)會(huì)(SDA)采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括Mini SD和SD卡。其主要應(yīng)用于移動(dòng)電話,但因它的體積微小和儲(chǔ)存容量的不斷提高,已經(jīng)使用于GPS設(shè)備、便攜式音樂播放器和一些快閃存儲(chǔ)器盤中。
  • 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
    存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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