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標簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位(注意:NOR Flash 為字節存儲。),區塊大小一般為256KB到20MB。
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近日,佰儲存儲在印度第15屆DT Awards 2023頒獎盛典上大放異彩,憑借在存儲技術研發、產品競爭力以及市場服務方面的卓越表現,成功斬獲“增長最快...
Apacer開發3D NAND閃存的優化 為客戶提供最適合其應用的P / E周期
NAND閃存已經成為一種成熟的技術,并且現在可用的各種格式已經在許多工業應用中采用。
HK-ATTO 光纖通道卡利用FC-NVMe 提升全閃存存儲陣列性能
1虹科ATTO光纖通道HBA隨著對高速數據訪問和低延遲存儲解決方案的需求日益增長,虹科ATTO最新的光纖通道創新技術帶來了改變游戲規則的突破。原生光纖通...
在近日于南京圓滿落幕的FMW 2024全球閃存峰會上,以“芯存儲 AI未來”為核心議題,隆重揭曉了“FMW2024年度閃存風云榜”。在這場匯聚行業精英的...
隨著數碼產品,如智能手機和單反數碼相機等的高速發展和普及,人們對體積小容量大的閃存類產品需求越來越大。在很多時候,閃存品質的好壞甚至直接影響到了數碼產品...
傳Marvell裁撤中國臺灣NAND Flash控制IC團隊
目前,Marvell以自主開發或外包的方式,為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此,Marvell在企業市場上的運營受到了影響,Marvell正在縮...
美光科技股份有限公司近日宣布推出其增強版通用閃存(UFS)4.0移動解決方案,標志著手機存儲技術的新里程碑。這一方案不僅具備創新的專有固件功能,還采用了...
LSI通過1TB希捷閃存達到百萬次IOPS性能水平 LSI通過1TB希捷閃存取得100萬次IOPS(每秒輸入輸出...
全球領先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術的固態硬盤(SSD)已正式進入量產出貨階段,標志著...
隨著主流電腦中配備SSD的需求不斷增大, NAND 閃存芯片的短缺,推動了SSD固態硬盤的漲價,在與此同時,根據 DRAMeXchange 的一份報告稱...
在移動裝置的帶動之下,閃存市場成長快速,根據IHS iSuppli研究指出,由于手機、游戲控制面板和混合存儲驅動器等產品市場擴大,NAND Flash在...
2013-07-12 標簽:閃存SanDiskNAND Flash 966 0
近日,CFMS | MemoryS 2025中國閃存市場峰會(以下簡稱“MemoryS 2025”)在深圳前海舉辦。作為國內領先的存儲主控芯片設計企業,...
紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
NAND 供應數量現已遠超市場需求,這將會導致 2019 年一季度多個類別的產品價格下跌或高達 20% 。為確保短期和長期的盈利能力,三家制造商已于過去...
對于單面設計的M.2 2280 SSD,都需要四顆閃存封裝芯片,2TB、4TB這種越來越普及的容量就得用到關鍵的4-die、8-die封裝。
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