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標簽 > 閃存芯片

閃存芯片

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主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻譯成中文就是“閃動的存儲器”,通常把它稱作“快閃存儲器”,簡稱“閃存”。閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品,可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶,是個人的“數(shù)據(jù)移動中心”。

文章:117 瀏覽:19841 帖子:9

閃存芯片資訊

NOR Flash對于“被替”風險該如何去應(yīng)對

NOR Flash主要用來存儲代碼及少量數(shù)據(jù),近幾年因5G、IoT、TWS耳機、AMOLED屏幕、TDDI等市場快速發(fā)展而備受重視。 NOR Flash...

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2020-12-04 標簽:華為服務(wù)器閃存芯片 1881 0

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2020-11-16 標簽:芯片NAND閃存芯片 2831 0

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東芯半導體由上海聞起投資有限公司、CHARM TEK DEVELOPMENT HK CO.,LIMITED (簡稱“C.D 香港”)共同出資組建,其中聞...

2020-10-12 標簽:閃存芯片東芯半導體哈勃科技 2145 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk(閃迪)宣布,已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片,并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標簽:NAND閃存芯片閃迪 2085 0

閃存芯片有什么用_閃存芯片引腳功能

閃存是一種長壽命的非易失性存儲器,它在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息。

2020-04-27 標簽:閃存閃存芯片 9508 0

閃存芯片和內(nèi)存芯片的區(qū)別

道內(nèi)存是高頻率快速的存儲器件,通電工作,斷電則所有數(shù)據(jù)清空。閃存內(nèi)類似于硬盤,屬于容數(shù)據(jù)存儲模塊,不需加點也可以保存數(shù)據(jù)完整。

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三星西安高新區(qū)二期項目第二階段開工 建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片

據(jù)西安新聞網(wǎng)報道,截至3月底,西安43個先進制造業(yè)重點項目完成投資144.53億元,占年計劃投資的29.6%。產(chǎn)業(yè)項目加速推進,其中,三星二期一階段項目...

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零的突破!中國閃存芯片正式步入國際主流水平

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道長江存儲4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注,其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達1....

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鎧俠宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍

昨日,iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存,調(diào)試信息顯示芯片顆粒來自三星。

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三星電子閃存芯片項目落戶西安 第二階段投資達80億美元

從“尚未決定”到“最終落戶”,三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據(jù)最新消息,三星電子在西安的閃存芯片項目二期投資80億美元落地。在今年5月份,三星電...

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中國首款64層三維閃存芯片發(fā)布 中國邁出打破美日韓壟斷的關(guān)鍵一步

紫光集團旗下長江存儲近日宣布,已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3DNAND),容量為256Gb,以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入...

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美光計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應(yīng)當前市場的狀況,美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

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據(jù)報道,高通正式宣布與三星合作開發(fā)5G小型基站,并且與愛立信利用手機大小的終端完成了全球首個6GHz以下5G OTA呼叫。這意味著,技術(shù)對于5G終端的商...

2018-10-26 標簽:臺積電閃存芯片無線充電 3936 0

閃存芯片價格跌幅超50% 訂單銷售量出現(xiàn)翻番

近年來,由于用于智能手機、數(shù)據(jù)中心的存儲芯片快速升級,閃存芯片的需求出現(xiàn)了持續(xù)增長,導致閃存芯片持續(xù)供不應(yīng)求。閃存市場價格不斷上漲,經(jīng)過一年半的飆升后,...

2018-10-23 標簽:閃存芯片 1328 0

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