鎧俠宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫速將是UFS 3.0的2~3倍
昨日，iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存，調(diào)試信息顯示芯片顆粒來(lái)自三星。
事實(shí)上，上周西部數(shù)據(jù)也推出了符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 ，引入第六代SmartSLC緩存技術(shù)，寫速最高可達(dá)800MB/s，且號(hào)稱容量滿載時(shí)也不掉速。
本周，鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲(chǔ)）宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。
新閃存基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西數(shù)EU521豐富，主控和閃存都按照規(guī)范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內(nèi)。
關(guān)于性能，鎧俠未給出具體數(shù)據(jù)，但表示寫速是UFS 3.0的2~3倍，連續(xù)讀速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善隨機(jī)讀取性能，睡眠模式下功耗更低，溫度過(guò)高時(shí)可主動(dòng)降低性能避免損壞元件。
鎧俠指出，東芝是最早在2013年推出UFS的廠商，去年也是第一波提供UFS 3.0產(chǎn)品的企業(yè)。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
東芝
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
1433瀏覽量
122310 -
存儲(chǔ)技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
753瀏覽量
46218 -
閃存芯片
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
129瀏覽量
19844
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
鎧俠UFS閃存解決方案及產(chǎn)品介紹
MIPIM-PHY5.0High-SpeedGear5和UniPro2.0技術(shù)，支持每條通道高達(dá)23.2Gbps或每個(gè)設(shè)備高達(dá)46.4Gbps的理論接口速度。UFS4.0能夠兼容UFS3.1，這意味著
EMMC與UFS的技術(shù)對(duì)比
與UFS的技術(shù)對(duì)比： 一、基本概述 技術(shù) eMMC UFS 定義 嵌入式多媒體卡，將存儲(chǔ)器芯片和控制器集成在一起 通用閃存存儲(chǔ)，一種新興的存
鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn)，或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)
存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布，計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并有望促使價(jià)格止跌回升。
鎧俠預(yù)測(cè)2028年NAND Flash需求將激增2.7倍
存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項(xiàng)令人矚目的預(yù)測(cè)，稱在人工智能需求的強(qiáng)勁推動(dòng)下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這
QLC UFS 4.0量產(chǎn)到來(lái)，端側(cè)AI加速智能終端UFS升級(jí)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日，鎧俠宣布量產(chǎn)QLC UFS 4.0，這是業(yè)界首款基于QLC的UFS4.0產(chǎn)品，可用于智能手機(jī)和平板電腦，
鎧俠預(yù)測(cè):2028年前閃存需求將激增2.7倍,受AI發(fā)展推動(dòng)
在人工智能技術(shù)的蓬勃推動(dòng)下，芯片制造商鎧俠于11月5日宣布，預(yù)計(jì)未來(lái)五年內(nèi)（至2028年），閃存市場(chǎng)需求將大幅增長(zhǎng)約2.7
鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存
近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存
三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存
近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
鎧俠擱置10月IPO計(jì)劃
日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股（IPO）計(jì)劃暫時(shí)擱置。這一決定背后，是鎧
鎧俠北上市NAND閃存新工廠竣工，預(yù)計(jì)2025年秋投產(chǎn)
存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠（Fab
單顆256GB，單一封裝達(dá)4TB容量，鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開始送樣
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，鎧俠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的
鎧俠推出業(yè)界首款2Tb QLC存儲(chǔ)器，引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)新紀(jì)元
在存儲(chǔ)技術(shù)日新月異的今天，鎧俠株式會(huì)社再次以卓越的創(chuàng)新實(shí)力震撼業(yè)界，正式宣布其采用第八代BiCS FLASH? 3D
鎧俠瞄準(zhǔn)2027年：挑戰(zhàn)1000層堆疊的3D NAND閃存新高度
在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后，鎧
鎧俠結(jié)束減產(chǎn)，獲新銀行貸款助力市場(chǎng)復(fù)蘇
近日，日本內(nèi)存芯片巨頭鎧俠（Kioxia）宣布結(jié)束長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的減產(chǎn)策略，這一轉(zhuǎn)變標(biāo)志著市場(chǎng)對(duì)NAND閃存需求的復(fù)蘇。為了支持其業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，
鎧俠NAND閃存生產(chǎn)恢復(fù)
近日，據(jù)日本媒體報(bào)道，知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠（Kioxia）已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開工率提升至100%。這一舉措標(biāo)志著鎧
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論