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三星西安高新區(qū)二期項目第二階段開工 建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-04-14 15:07 ? 次閱讀

據(jù)西安新聞網(wǎng)報道,截至3月底,西安43個先進制造業(yè)重點項目完成投資144.53億元,占年計劃投資的29.6%。產(chǎn)業(yè)項目加速推進,其中,三星二期一階段項目首批半導體產(chǎn)品已正式下線上市,二階段全面開工建設。

據(jù)悉,三星(中國)半導體有限公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品為3D V-NAND閃存芯片,目前產(chǎn)品通過韓國總部遠銷歐美、東南亞等地。三星高端存儲芯片項目于2012年落戶西安高新區(qū)。

資料顯示,三星電子一期投資108億美元,建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。2019年,一期項目和封裝測試項目全部實施完畢,并實現(xiàn)滿負荷量產(chǎn),實現(xiàn)產(chǎn)值513億元人民幣。

二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片。其中,第一階段投資約70億美元,第二階段投資80億美元。按照規(guī)劃,三星西安二期第一季階段于2020年3月竣工投產(chǎn),第二階段將于2021年下半年竣工。

2020年3月10日,三星(中國)半導體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。據(jù)中國青年報此前報道,三星電子二期第一季預計今年8月份可實現(xiàn)滿產(chǎn)。

三星西安二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,占三星電子全球產(chǎn)量的40%,新增產(chǎn)值300億元,解決上千人就業(yè),并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶,使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。
責任編輯:wv

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