一文詳解淺溝槽隔離技術

隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術節點，原始的本征氧化隔離技術（LocOS）已不適應。“隔離”是指利用介質材料或反向PN結隔離集成電路的有源區器件，消除寄...

2025-03-12 標簽：集成電路工藝隔離技術 863 0

一文詳解銅大馬士革工藝

但隨著技術迭代，晶體管尺寸持續縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關鍵因素。在90納米及以下工藝節點，銅開始作為金屬互聯材料取代鋁，同時采...

2025-02-07 標簽：工藝晶體管蝕刻 2116 0

干法刻蝕的概念、碳硅反應離子刻蝕以及ICP的應用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

2025-01-22 標簽：等離子體蝕刻ICP 770 0

典型的氧化局限面射型雷射結構

為了改善上述蝕刻柱狀結構以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士學位的D.L. Huffaker 首次發表利用選擇性...

2025-01-21 標簽：元件雷射蝕刻 365 0

深入探討 PCB 制造技術：化學蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學蝕刻仍然是行業標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創建詳細電路圖案的可靠方...

2025-01-25 標簽：電路板蝕刻PCB 544 0

側墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側墻工藝是指形成環繞多晶硅的氧化介質層，從而保護LDD 結構，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結構的擴展區。側墻是由兩個主要工藝步驟形...

2024-11-09 標簽：集成電路工藝蝕刻 1120 0

半導體蝕刻工藝科普

過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙。

2024-11-05 標簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 954 0

濕法蝕刻的發展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉移到沖洗站去除酸，然后轉移到最終...

2024-10-24 標簽：晶圓蝕刻 475 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標簽：光刻蝕刻晶圓制造 2816 0

基于光譜共焦技術的PCB蝕刻檢測

傳統的2D視覺技術已經無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術則以其獨特的優勢，輕松地在視野范圍內構建目標物的狀態，無論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標簽：pcb蝕刻光譜 573 0

想做好 PCB 板蝕刻？先搞懂這些影響因素

影響 PCB 板蝕刻的因素 電路板從發光板轉變為顯示電路圖的過程頗為復雜。當前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電...

2025-02-27 標簽：PCB蝕刻 350 0

選擇性激光蝕刻中蝕刻劑對玻璃通孔錐角和選擇性有什么影響

近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實現倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應用。然而，硅有幾個缺點，例如其價格相對較...

2025-01-23 標簽：激光蝕刻 475 0

離子布植法介紹

由于蝕刻柱狀結構有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業界及學術研究單位最常采用的方法為離子布植法。采用離子布植法作為面射型雷射...

2025-01-15 標簽：電極蝕刻 396 0

玻璃電路板表面微蝕刻工藝

玻璃表面蝕刻紋路由于5G時代玻璃手機后蓋流行成為趨勢，預測大部分中高端機型將采用玻璃作為手機的后蓋板。因此，基于玻璃材質的微加工工藝也就成為CMF研究中...

2024-07-17 標簽：電路板蝕刻 1007 0

用于批量加工的創新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統

來源：《半導體芯科技》雜志文章 近幾十年來，半導體行業取得了巨大進步，在我們的現代世界中發揮著至關重要的作用。濕法工藝設備是生產高質量半導體器件的關鍵部...

2024-06-24 標簽：半導體蝕刻晶片 458 0