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標(biāo)簽 > 等離子體
等離子體又叫做電漿,是由部分電子被剝奪后的原子及原子團(tuán)被電離后產(chǎn)生的正負(fù)離子組成的離子化氣體狀物質(zhì),尺度大于德拜長(zhǎng)度的宏觀電中性電離氣體,其運(yùn)動(dòng)主要受電磁力支配,并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中,常被視為是除去固、液、氣外,物質(zhì)存在的第四態(tài)。
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隨著集成電路特征尺寸的縮小,工藝窗口變小,可靠性成為更難兼顧的因素,設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化...
等離子體蝕刻機(jī)需要與濕法蝕刻相同的元素:化學(xué)蝕刻劑和能量源。從物理上講,等離子體蝕刻機(jī)由室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)器和電源組成(如下圖所示)。晶圓...
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過(guò)程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來(lái)去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過(guò)程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。...
硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制
在過(guò)去的幾年中,MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng),并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而,隨著柵極長(zhǎng)度減小到小于...
如此產(chǎn)生之離子、自由基被連續(xù)的沖撞和受電場(chǎng)作用力而加速,使之與材料表面碰撞,并破壞數(shù)微米范圍以內(nèi)的分子鍵,誘導(dǎo)削減一定厚度,生成凹凸表面,同時(shí)形成氣體成...
對(duì)于純FR-4多層印制電路板孔金屬化抄板制造來(lái)講,目前業(yè)界已有相當(dāng)成熟之處理經(jīng)驗(yàn),即于孔金屬前,進(jìn)行堿性高錳酸鉀孔壁凹蝕處理。而對(duì)于純聚四氟乙烯介質(zhì)多層...
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