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標(biāo)簽 > 等離子體
等離子體又叫做電漿，是由部分電子被剝奪后的原子及原子團(tuán)被電離后產(chǎn)生的正負(fù)離子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，尺度大于德拜長(zhǎng)度的宏觀電中性電離氣體，其運(yùn)動(dòng)主要受電磁力支配，并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。
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ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機(jī)，是半導(dǎo)體芯片微納加工過(guò)程中必不可少的設(shè)備，可加工微米級(jí)納米級(jí)的微型圖案。
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研...
太陽(yáng)能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)
光捕獲技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來(lái)，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離...
2023-12-05 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能等離子體 1861 0
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...
動(dòng)態(tài)反向脈沖(DRP)實(shí)驗(yàn)
在之前的《實(shí)踐出真知，實(shí)驗(yàn)領(lǐng)創(chuàng)新》推文中，我們探討了與傳統(tǒng)的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比，動(dòng)態(tài)反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負(fù)荷降低約12%，從而為...
嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過(guò)1...
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...
其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍，能奪取其他原子或分子的電子形...
需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡(jiǎn)便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...
2023-12-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 1330 0
當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來(lái)說(shuō)，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過(guò)調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...
等離子體，英文名稱plasma，是物質(zhì)的第四態(tài)，其他三態(tài)有固態(tài)，液態(tài)，氣態(tài)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài)，又被稱為‘電漿’，具有帶電性和流動(dòng)性的特點(diǎn)。
磁場(chǎng)輔助激光加工技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
磁場(chǎng)輔助激光加工技術(shù)是利用磁場(chǎng)約束激光加工誘導(dǎo)的等離子體，致使等離子體沿磁場(chǎng)方向膨脹，其余方向受壓縮，因而等離子體的密度會(huì)很低，大大削弱了屏蔽效果，使更...
實(shí)驗(yàn)名稱：等離子體壓力傳感器及其在動(dòng)態(tài)壓力測(cè)量中的應(yīng)用研究方向：壓力傳感器測(cè)試目的：如何準(zhǔn)確測(cè)量高超沖壓發(fā)動(dòng)機(jī)隔離段和航空發(fā)動(dòng)機(jī)壓氣機(jī)部件的內(nèi)部流場(chǎng)是提...
書接上節(jié)，常見(jiàn)的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個(gè)例子。當(dāng)然，它和我們最常見(jiàn)到的固體、液體或氣體的定義的定義...
然而，自從我開(kāi)始自己閱讀關(guān)于等離子體的在線資源以來(lái)，我身邊來(lái)自cryptoeconomics Lab的專業(yè)等離子體研究人員為我提供了一種非常接近的方式，...
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...
干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...
近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制...
激光誘導(dǎo)擊穿光譜(英語(yǔ):Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技術(shù)，通過(guò)超短脈沖激光聚焦樣品表面形成等離...
利用氨等離子體預(yù)處理進(jìn)行無(wú)縫間隙fll工藝的生長(zhǎng)抑制
引言 半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則收縮是集成過(guò)程中每一步的一個(gè)挑戰(zhàn)。在隔離的間隙-fll過(guò)程中，使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成，甚至具有良好的臺(tái)階覆蓋。為...
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