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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合,推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 65...
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET,顯著提升高耗電應用的能效 ? 新聞要點 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣...
當下,低碳化和數字化齊頭并進的發展,帶來了萬物互聯、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中,第三代半導體則發揮著重要作用。
國產SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產的背景下,國產碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
SiC碳化硅MOSFET驅動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負驅動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...
全SiC碳化硅家用單相光伏逆變器設計方案(基于B3M040065Z和B3D20065H)
家用全SiC碳化硅單相光伏逆變器設計方案(基于B3M040065Z和B3D20065H) 1. 系統架構 輸入:光伏板直流輸入(假設電壓范圍:100-4...
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場,金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導體的潛力 金剛石MOSFET被認為是下一代功率半導體的重要發展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環境下展現出顯著優...
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅動板不僅是SiC MOSFET的“智...
晶圓代工龍頭中芯國際在未來5至7年內將有約34萬片晶圓產能的12英寸生產線建設項目,其中包括深圳、北京、上海等地項目。
英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術,實現更加智能、快速的固態配電
為推動下一代固態配電系統的發展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型Coo...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲系統電池充放電DC-DC中的應用優勢
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲系統電池PACK充放電DC-DC中的應用優勢 BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
中國碳化硅功率半導體參與全球競爭的持久動力:“創新-制造-市場”三位一體
國產SiC碳化硅MOSFET廠商的發展路徑對國產碳化硅功率半導體全球競爭的啟示 第三代半導體材料碳化硅(SiC)作為未來功率電子產業的核心基礎材料,正在...
BMF240R12E2G3在高速風機水泵變頻器應用中輕載時的效率優勢
在高速風機水泵變頻器中,輕載(低負載)工況是常見的運行場景,尤其是在系統處于部分負載調節、待機或低流量需求時。碳化硅(SiC)功率模塊(如BMF240R...
SiC碳化硅MOSFET時代的驅動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢
BASiC基本股份半導體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現出顯著優勢: 傾佳電子(Changer Tech...
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