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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

全球SiC晶圓競爭,進(jìn)入白熱化

全球SiC晶圓競爭,進(jìn)入白熱化

隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號,全球芯片制造商正在快速采取行動,確保碳化硅功率器件的供應(yīng)。O

2023-08-07 標(biāo)簽:英飛凌晶圓SiC 652 0

薩科微slkor副總經(jīng)理賀俊駒:構(gòu)建新型電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)

薩科微slkor副總經(jīng)理賀俊駒:構(gòu)建新型電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)

薩科微slkor副總經(jīng)理賀俊駒介紹,在現(xiàn)階段,構(gòu)建以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)”雙碳“目標(biāo)的有效途徑,在市場和政策雙重推動下,傳統(tǒng)電力行業(yè)加快向新...

2023-03-30 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)碳化硅 651 0

2023基本創(chuàng)新日成功舉辦 碳化硅年度新品震撼發(fā)布

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?10月26-27日,以“創(chuàng)芯致遠(yuǎn),共贏未來”為主題的2023基本創(chuàng)新日活動在深圳隆重舉辦?;景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會上正式發(fā)布了 第二代碳化硅MO...

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IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計2000V CoolSiC?驅(qū)動評估板

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英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IP...

2024-08-02 標(biāo)簽:SiC評估板碳化硅 650 0

基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

此外,作為第一批合作成果,融合了雙方技術(shù)的車載功率模塊將提供給多家大型汽車企業(yè),用于電動汽車的動力總成系統(tǒng)。今后,雙方也將加快開發(fā)以碳化硅為核心的功率解...

2022-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 650 0

瑞能半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品慕尼黑華南電子展精彩回顧

11月15日至17日 瑞能半導(dǎo)體攜硅基、碳化硅基等 多款功率器件產(chǎn)品亮相慕尼黑華南電子展 展示了從消費(fèi)類到工業(yè)及新能源 再覆蓋到汽車類的相關(guān)產(chǎn)品布局 以...

2022-11-24 標(biāo)簽:功率器件充電樁碳化硅 646 0

全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控!

BASiC?基半股份一級代理商全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控! 為什么在儲能變流器PCS應(yīng)...

2024-12-30 標(biāo)簽:IGBTSiC碳化硅 646 0

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,...

2025-04-09 標(biāo)簽:晶體管功率器件碳化硅 646 0

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2024-02-23 標(biāo)簽:碳化硅三安光電 645 0

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引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲能、軌道交通...

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華為:加速以超快充為主的充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),提升用戶體驗

3月15-17日,中國電動汽車百人會論壇(2024)在京召開,新能源汽車產(chǎn)業(yè)各方代表、領(lǐng)軍企業(yè)、組織機(jī)構(gòu)、專家等齊聚北京,共同探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,探索產(chǎn)業(yè)...

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電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其...

2025-03-12 標(biāo)簽:碳化硅 643 0

意法半導(dǎo)體第三季度實(shí)現(xiàn)凈營收32.5億美元

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半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,從智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,到汽車、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域,其重要性不言而喻。近年來,中國半...

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能源危機(jī)和環(huán)境污染問題日益凸顯,節(jié)能減排已成為全球的重要議題。在能源轉(zhuǎn)換和電力傳輸領(lǐng)域,碳化硅功率器件作為一種新興的高性能器件,展現(xiàn)出了巨大的潛力。其高...

2024-12-04 標(biāo)簽:功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 640 0

晶體生長相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷

晶體生長在分析晶體生長時,我們需要考慮多個關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹了晶體生長相關(guān)內(nèi)容,包括:雜對晶格硬度變化影響、碳化...

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近期,全球及國內(nèi)的碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)迎來了融資加速期,又有五家企業(yè)成功獲得融資,進(jìn)一步推動了SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。   瞻芯電子在1月21日宣布完成...

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2016-05-10 標(biāo)簽:二極管碳化硅硅IGBT技術(shù) 637 0

納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

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近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入...

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