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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

11.4.1 光伏電源逆變器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.4.1光伏電源逆變器11.4電力電子學(xué)與可再生能源第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：...

2022-04-21 標(biāo)簽：逆變器碳化硅 683 0

6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入...

2021-12-31 標(biāo)簽：碳化硅 1096 0

6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退...

2021-12-31 標(biāo)簽：碳化硅 1046 0

11.3.3 感應(yīng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.3.3感應(yīng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)11.3電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：...

2022-04-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)碳化硅 598 0

９.３.４　dv/dt觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGA...

2022-03-29 標(biāo)簽：碳化硅 540 0

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》全書

第１章導(dǎo)論１.１電子學(xué)的進(jìn)展１.2碳化硅的特性和簡(jiǎn)史１.３本書提綱第２章碳化硅的物理性質(zhì)2.4總結(jié)2.3熱學(xué)和機(jī)械特性2.2.6擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度2.2.5漂...

2022-05-09 標(biāo)簽：碳化硅 4878 0

7.4 結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和

7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)...

2022-02-15 標(biāo)簽：二極管碳化硅 4824 0

９.３.６.2　負(fù)的柵極脈沖關(guān)斷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

９.３.６.2負(fù)的柵極脈沖關(guān)斷９.３.６關(guān)斷過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)...

2022-04-01 標(biāo)簽：碳化硅 726 0

10.1.5 節(jié)終端擴(kuò)展（JTE）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.5節(jié)終端擴(kuò)展（JTE）10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代...

2022-04-06 標(biāo)簽：碳化硅 899 0

11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)A...

2022-04-24 標(biāo)簽：碳化硅 1150 0

附錄Ｃ常見SiC多型體主要物理性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

附錄Ｃ常見SiC多型體主要物理性質(zhì)附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A...

2022-05-09 標(biāo)簽：碳化硅 727 0

6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《...

2022-01-06 標(biāo)簽：碳化硅 961 0

附錄Ｂ　雙曲函數(shù)的性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

附錄Ｂ雙曲函數(shù)的性質(zhì)附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型...

2022-05-09 標(biāo)簽：碳化硅 593 0

12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時(shí)間(IMPATT)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

12.1.3碰撞電離雪崩渡越時(shí)間(IMPATT)二極管12.1微波器件第12章專用碳化硅器件及應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)...

2022-04-27 標(biāo)簽：二極管碳化硅 812 0

９.３.３　開通過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

９.３.３開通過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP...

2022-03-28 標(biāo)簽：碳化硅 591 0

11.3.5 混合動(dòng)力和純電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.3.5混合動(dòng)力和純電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)11.3電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和...

2022-04-20 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)碳化硅 769 0

10.1.4 斜面邊緣終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.4斜面邊緣終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線...

2022-04-06 標(biāo)簽：asic 碳化硅 709 0

11.5 開關(guān)模式電源的電力電子學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.5開關(guān)模式電源的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGM...

2022-04-24 標(biāo)簽：電源碳化硅 642 0

附錄A 4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

附錄A4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代...

2022-05-09 標(biāo)簽：碳化硅 997 0

11.2.1 工頻相控整流器和逆變器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.2.1工頻相控整流器和逆變器11.2基本的功率變換電路第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品...

2022-04-16 標(biāo)簽：碳化硅 480 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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村田

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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