隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子
發表于 04-21 17:55
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碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性,在半導體產業中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料,其生產過程復雜
發表于 02-03 14:21
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碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析
發表于 02-03 14:21
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。 碳化硅的主要缺陷類型 微管缺陷 :微管是碳化硅晶體生長過程中最常見的缺陷之一,它們會形成垂直于晶體生長方向的空管,影響電子器件的電導率和
發表于 01-24 09:17
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隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
發表于 01-04 12:37
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長
發表于 12-31 15:04
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一、引言
溝槽結構碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內填充高質量的外延層,以實現器件的電學和熱學性能要求。這一過程中,不僅
發表于 12-30 15:11
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能源轉換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點,并探討其在能源轉換中的創新應用,引領高效能源轉換的未來之光。
發表于 12-04 10:49
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碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
發表于 10-30 15:04
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碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優點,使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本
發表于 09-13 11:00
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在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優勢,逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,使得碳化硅功率
發表于 09-13 10:56
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碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比,碳化硅功率
發表于 09-11 10:44
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碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統的硅(Si)功率器件相比,
發表于 09-11 10:25
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。而硅晶圓是傳統的半導體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應用領域。 制造工藝: 碳化硅晶圓的制造工藝相對復雜,需要高溫、高壓和長時間的生長過程。而硅晶圓的制造工藝相對成熟,可以實現大規模生產。此外,碳化硅晶圓的
發表于 08-08 10:13
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碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅(Si)基功率器件,
發表于 08-07 16:22
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