附錄Ｃ 常見(jiàn)SiC多型體主要物理性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
附錄Ｃ常見(jiàn)SiC多型體主要物理性質(zhì)
附錄
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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碳化硅
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碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導(dǎo)率 ：SiC的熱導(dǎo)率是Si的三倍以上，有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于Si，適合于高速電子器件。 化學(xué)穩(wěn)定性 ：
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