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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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目前,碳化硅(SiC)這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對晶圓和器件的研究在近年來已經(jīng)取得很大進(jìn)展。碳化硅是一種寬禁帶(WB...
東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化
中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOS...
大功率數(shù)字電源市場應(yīng)用,哪些值得關(guān)注?
近年來,隨著電子設(shè)備的不斷智能化和高性能化,高效、可靠的電源解決方案需求越來越大。
2023-08-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計(jì)數(shù)字電源 833 0
納微半導(dǎo)體將展示下一代功率半導(dǎo)體的重大突破
下一代平臺將為數(shù)據(jù)中心、太陽能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場設(shè)定新標(biāo)桿
2023-08-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車太陽能半導(dǎo)體 2239 0
半導(dǎo)體有良好的導(dǎo)電性嗎? 半導(dǎo)體是指一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電學(xué)特性的物質(zhì),其導(dǎo)電性介于金屬導(dǎo)體和非金屬絕緣體之間。半導(dǎo)體材料通常是由含有補(bǔ)償雜質(zhì)...
igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gat...
碳化硅外延片全球首個(gè)SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,瀚天天成主導(dǎo)
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(semi)正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)semi國際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》 (specifica...
天岳先進(jìn)、天科合達(dá)正加快8英寸SiC產(chǎn)能建設(shè),滿足客戶需求
8月,天科合達(dá)開工建設(shè)位于徐州的碳化硅二期擴(kuò)大生產(chǎn)工程,總投資8.3億元。該項(xiàng)目投入生產(chǎn)后,每年有16萬個(gè)碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力。該公司已經(jīng)6英寸和8英寸...
光學(xué)頻段碳化硅極化激元超透鏡為光學(xué)成像發(fā)展提供新思路
我國科學(xué)家參與的一項(xiàng)研究借助多頻率組合復(fù)頻波激發(fā)方法,成功將原有的成像分辨率由照明波長十分之一提升至百分之一,因而可將中紅外超透鏡的空間分辨率提升至百納...
在未來五年內(nèi),英飛凌將再投入多達(dá)50億歐元進(jìn)行居林第三廠區(qū)(Module Three)的二期建設(shè)。到2030年末,這項(xiàng)投資再加上計(jì)劃在菲拉赫與居林工廠的...
車規(guī)級!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產(chǎn)交付
據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC M...
碳化硅(SiC)是一種新興的新型寬禁帶(WBG)材料,特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。然而,大家對它的諸多不了解限制了設(shè)計(jì)人員對它的充分利用。圖1:SiC晶...
獲“芯片法案”補(bǔ)貼,美國阿肯色大學(xué)SiC研究與制造廠開工
MUSiC通過國家研究所允許聯(lián)邦政府、企業(yè)和大學(xué)開發(fā)目前無法使用的硅電石半導(dǎo)體模型。碳化硅是比基本硅芯片性能更好的半導(dǎo)體,可以在極端環(huán)境下工作。在新工廠...
12億,又一企業(yè)宣布,碳化硅(SiC)項(xiàng)目擴(kuò)建
據(jù)披露,此次合作,緯湃科技將持續(xù)投入固定資產(chǎn)12億元,在天津開啟新一輪新能源汽車核心產(chǎn)品的投資,包括碳化硅功率模塊、800伏定轉(zhuǎn)子、三合一電動(dòng)軸驅(qū)系統(tǒng)、...
超20個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目在列,江蘇省科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)資金擬立項(xiàng)目公示
上榜項(xiàng)目包括長光華芯的“半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、天科合達(dá)的“第三代碳化硅板開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、通富微電的“高性能計(jì)算芯片高密度封裝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等...
瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC ...
晶升股份上半年凈利潤同比增長447%,獲國內(nèi)大客戶重復(fù)和批量訂單
具體來看,晶升股份自主研發(fā)的核心技術(shù),形成了廠商及碳化硅硅芯片chende覆蓋國內(nèi)龍頭企業(yè)或與主流客戶滬硅產(chǎn)業(yè)(上海新昇)、立昂微(金瑞泓)、神工股份、...
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