碳化硅外延片全球首個SEMI國際標準發(fā)布，瀚天天成主導
國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半導體外延晶片全球首個semi國際標準——《4H-SiC同質(zhì)外延片標準》 （specification for 4h-sic homoepitaxial wafer）”。該標準由瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司主導編寫，中國科學院半導體研究所，株洲中車時代電氣股份有限公司，wolfspeed等12家公司參與編寫，歷時3年。
據(jù)了解，《4H-SiC同質(zhì)外延片標準》這一國際標準的發(fā)布和實施，將在規(guī)范國際硅電石半導體外延行業(yè)有序發(fā)展，在降低國際貿(mào)易合作成本，加快新技術(shù)全球推廣等方面具有深遠意義。
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