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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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在碳化硅(SiC)技術(shù)的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 206 0
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...
國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學習
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進展,但面對英飛凌等國際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢,仍需從多個維...
深度分析650V國產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(...
基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢
BASiC基本股份半導體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech...
基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案
基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳...
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的優(yōu)勢
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的優(yōu)勢 三相四橋臂拓撲結(jié)合碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲能變流器(PCS),在新能源和電力電子領...
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動板不僅是SiC MOSFET的“智...
破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬
破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬 值此五一勞動節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...
碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應用中,米勒鉗位功能至關重要,主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓撲、光伏逆...
2025瑞能半導體大中國區(qū)經(jīng)銷商大會成功舉辦
日前,2025瑞能半導體(大中國區(qū))經(jīng)銷商大會在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會以“瑞光照芯力·能量啟未來”為主題,匯聚了瑞能半導體布局大中國區(qū)的...
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐...
2025-04-27 標簽:功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 418 0
方正微電子亮相2025九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會
此前,2025年4月23日至25日,第三屆九峰山論壇暨化合物半導體博覽會(以下簡稱“CSE”)在武漢光谷科技會展中心舉行,作為國內(nèi)碳化硅三代半IDM的代...
碳化硅(SiC)作為第三代半導體的核心材料,憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領域展現(xiàn)出巨大的應...
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理
近日,半導體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進的共封裝設計,具備...
全社會都在積極推動低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中,相比于從前,一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費的...
2025-04-23 標簽:英飛凌碳化硅能源轉(zhuǎn)換 446 0
納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過嚴格設計和驗證,適用...
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器...
此前,2025年4月15日-17日,全球電子行業(yè)矚目的2025上海慕尼黑電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心盛大啟幕。
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