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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50462次 帖子：38個(gè)

      碳化硅資訊

      威邁斯IPO上市觀察 深度研發(fā)賦能 成功解決行業(yè)難點(diǎn)

      在車載電源和電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)品領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)之一。不過(guò)，碳化硅功率器件在實(shí)際應(yīng)用中面臨著驅(qū)動(dòng)控制敏感、...

      2023-03-01 標(biāo)簽：ipo功率器件驅(qū)動(dòng)控制 2271 0

      派恩杰完成戰(zhàn)略融資，碳化硅產(chǎn)品獲得車企訂單并批量供貨

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）在綠色低碳的發(fā)展背景下，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體成為市場(chǎng)的焦點(diǎn)和話題。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yo...

      2023-08-11 標(biāo)簽：碳化硅 2269 0

      總投資10個(gè)億！簽約！年產(chǎn)六萬(wàn)顆，正齊半導(dǎo)體落地

      馬來(lái)西亞正齊集團(tuán)CEO胡光榮表示，非常榮幸能夠在杭州蕭山建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊封裝工廠，這是我們集團(tuán)響應(yīng)全球‘雙碳’目標(biāo)和‘自主可控’戰(zhàn)略的重要舉措。我們...

      2023-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT碳化硅 2265 0

      力爭(zhēng)“碳中和”,第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率

      為應(yīng)對(duì)氣候變化，我國(guó)提出，二氧化碳排放力爭(zhēng)于2030年前達(dá)到峰值，努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)“碳中和”。

      2021-03-18 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體晶圓 2264 0

      開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器如何充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

      在過(guò)去的幾十年中，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來(lái)改善基于硅 MOSFET （parasitic parameters），以滿足開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（開(kāi)關(guān)電源）設(shè)計(jì)...

      2020-12-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電源碳化硅 2259 0

      高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

      高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

      為適應(yīng)未來(lái)大功率高壓快充發(fā)展趨勢(shì)，主流車企及充電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開(kāi)始布局大功率快充樁。但高壓快充對(duì)充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求，在設(shè)備方面亟需采用...

      2024-01-17 標(biāo)簽：SiC充電樁碳化硅 2246 0

      納微半導(dǎo)體將展示下一代功率半導(dǎo)體的重大突破

      下一代平臺(tái)將為數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場(chǎng)設(shè)定新標(biāo)桿

      2023-08-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車太陽(yáng)能半導(dǎo)體 2242 0

      碳化硅在汽車領(lǐng)域?qū)l(fā)揮怎樣的重要作用

      半導(dǎo)體材料從以鍺（Ge）和硅（Si）為代表的第一代到以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代，再到目前熱門的以碳化硅（SiC）、氮化鎵（Ga...

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2242 0

      江蘇超芯星天使輪融資完成，首創(chuàng)大尺寸擴(kuò)徑技術(shù)

      據(jù)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)介紹，超芯星半導(dǎo)體于2019年4月落戶江蘇儀征經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，致力于6英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

      2020-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2232 0

      方正微電子：2025年將實(shí)現(xiàn)16.8萬(wàn)片/年車規(guī)SiC MOS產(chǎn)能

      近日，方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進(jìn)展。作為該領(lǐng)域的IDM（垂直整合制造）企業(yè)，方正微電子目前擁有兩個(gè)fab（制造工廠）。

      2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2231 0

      為什么要用碳化硅？碳化硅晶體長(zhǎng)不“高”到底難在哪兒？

      硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料，目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過(guò)，由于轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限，當(dāng)電壓大于900V...

      2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2221 0

      一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

      一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

      金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率（高達(dá)2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。

      2024-01-04 標(biāo)簽：激光器SiCGaN 2213 0

      800V架構(gòu)下電機(jī)面臨兩大要求

      高壓直流繼電器是新能源車的安全閥，在車輛運(yùn)行時(shí)進(jìn)入連接狀態(tài)，在車輛發(fā)生故障時(shí)可將儲(chǔ)能系統(tǒng)從電器系統(tǒng)中分離。

      2023-03-21 標(biāo)簽：直流繼電器充電樁碳化硅 2210 0

      淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

      硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...

      2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2202 0

      碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

      寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2191 0

      三安意法重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線 將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)

      2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，這將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)...

      2025-02-27 標(biāo)簽：晶圓襯底碳化硅 2191 0

      8英寸襯底井噴，11月國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新進(jìn)展

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，成本占比最高的部分是襯底，碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此，襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈...

      2023-12-12 標(biāo)簽：碳化硅 2188 0

      碳化硅MOSFET什么意思

      碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，&q...

      2023-06-02 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 2180 0

      芯三代啟動(dòng)上市輔導(dǎo)

      近日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯三代”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造...

      2024-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2180 0

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      • Arduino
        Arduino
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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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