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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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隨著新能源汽車、光伏和儲能等市場的快速發展,國內的碳化硅產業正迅速進入商業化階段。國際功率半導體巨頭對該產業表達了濃厚的興趣,并與國內企業合作,積極追趕...
CISSOID 最近發布了專為降低開關損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模塊 (IPM) 產品系列。
2022-08-04 標簽:電源轉換器碳化硅SiC MOSFET 2172 0
天岳先進、天科合達、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產能。目前,這些中國企業的總產能約為每月6萬片。隨著各公司產能的逐步釋放,預計到2024年,...
日前,廣東省能源局發布廣東芯粵能半導體有限公司“面向車規級和工控領域的碳化硅芯片制造項目”節能報告的審查意見:項目采用的主要技術標準和建設方案符合國家相...
2023-01-29 標簽:碳化硅 2163 0
相比常規服務器,AI服務器的峰值功率和持續運行時間較長,加上需處理更大規模AI數據中心的電力供應,無疑給這個行業帶來了巨大壓力。
在最新研究中,美國亞利桑那州立大學的科研人員通過實驗室內,在高壓環境下加熱碳化硅,對鉆石行星的可能形成過程進行了研究,并證明了其可能的形成方法確實可行。
作為高尖精的產品,芯片的可靠性測試貫徹始終,從設計到選材再到最后的出產,那研發過程中具體需要做哪些測試呢?金譽半導體帶大家了解一下。
CISSOID 向 Thales 交付首個碳化硅( SiC )智能功率模塊
比利時,蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導體解決方案的領先供應商CISSOID公司宣布,向 Thales Avion...
但是,在提升晶圓面積的同時,如何保證良率是目前需要解決的難題,也是目前8英寸晶圓設備面臨的挑戰之一。擴大尺寸是產業鏈降本增效的有效路徑之一。但在擴大尺寸...
PVT法生長非常緩慢,速度約為0.3-0.5mm/h,7天才能生長2cm,并且最高也僅能生長3-5cm,晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸,而硅基72h即可...
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統效率的潛力。在太陽能行業,碳化硅逆變器優化在成本節約方面也發揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算...
一般可采用高純Al2O3涂層作為刻蝕腔體和腔體內部件的防護材料。但是隨著半導體器件最小特征尺寸的減小和晶圓尺寸的增大,為了獲得更高的刻蝕精度和保證刻蝕的...
解決辦法是將碳和硅這兩種儲量豐富的元素以1:1的比例結合在一起,制成一種叫碳化硅(SiC)的半導體。碳化硅可以承受極高的溫度,并且可在高溫下正常工作。
國產碳化硅上車首先是技術過硬,目前,多家國產企業的SiC MOSFET技術實力已經是實現領先。以愛仕特為例,據李潤華介紹,愛仕特自主設計的第三代6英寸S...
過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發展。推動此項市場發展的力量包括下列趨勢:節能、縮減體積、系統整...
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