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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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      碳化硅資訊

      集成電路訂單突破億級，2019年海特高新營業(yè)收入同比增加55.52%

      海特高新發(fā)布2019年業(yè)績快報稱，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入80,187.88萬元，較上年同期增加55.52%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤7,549.26萬元，...

      2020-02-29 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 3903 0

      軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

      軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

      現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個行...

      2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 3897 0

      采用800V輸入汽車逆變器的應(yīng)急電源解決方案

      在電動汽車的牽引逆變器中，供電分為12V低壓電源和400/800V高壓供電。其中高壓供電送至牽引逆變器，進(jìn)行DC-AC逆變，產(chǎn)生三相交流電，驅(qū)動電機(jī)旋轉(zhuǎn)...

      2021-06-29 標(biāo)簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 3896 0

      國產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用，隨著市場對電動汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由...

      2022-07-06 標(biāo)簽：SiC碳化硅SiCMOSFET 3887 0

      Cree宣布將投資10億美元用于擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

      Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示：“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是，現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不...

      2019-05-09 標(biāo)簽：電動汽車Cree碳化硅 3876 0

      剖析新型混合動力控制管理系統(tǒng)

      先進(jìn)的混合動力總成管理控制系統(tǒng)通常面臨著高度復(fù)雜的需求，本文評述了新材料解決方案和互聯(lián)技術(shù)將如何提升系統(tǒng)效率，以及如何實(shí)現(xiàn)具有較強(qiáng)預(yù)測功能的管理過程。 ...

      2021-08-09 標(biāo)簽：內(nèi)燃機(jī)碳化硅電驅(qū)動 3872 0

      英飛凌發(fā)布2021財年第四季度及全年財報，業(yè)績創(chuàng)下新紀(jì)錄

      英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財年第四季度及全年業(yè)績。

      2021-11-12 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵碳化硅 3862 0

      第三代半導(dǎo)體行業(yè)拐點(diǎn)已至，瀚薪獨(dú)創(chuàng)整合型碳化硅JMOSFET結(jié)構(gòu)技術(shù)

      ? 第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨(dú)特性能和優(yōu)勢。第三代半導(dǎo)體目前主...

      2021-02-01 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體碳化硅 3862 0

      碳化硅器件在車載充電機(jī)OBC上的應(yīng)用

      車載充電機(jī)的輸入端，以標(biāo)準(zhǔn)充電接口的形式固定在車體上，用于連接外部電源。車載充電機(jī)的輸出端，直接連接動力電池包慢充電接口。中華人民共和國汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《Q...

      2020-11-03 標(biāo)簽：電動車充電機(jī)碳化硅 3861 0

      浙江省首個第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計年產(chǎn)能將達(dá)8萬片

      2018年，中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶在杭州灣新區(qū)。目前，該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...

      2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 3858 0

      解決電動汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn)，碳化硅借勢而起

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）在政策利好與自然資源緊張的驅(qū)使下，電動汽車的發(fā)展步入了正軌。隨著電動汽車基礎(chǔ)配套設(shè)施的不斷完善，以及技術(shù)的成熟，電動汽車在近...

      2022-02-22 標(biāo)簽：電動汽車碳化硅碳化硅MOSFET 3853 0

      志橙半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板IPO受理！CVD碳化硅零部件市占中國第五，募資8億研發(fā)SiC材料等

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      電子發(fā)燒友 網(wǎng)報道（文 / 劉靜） 6 月 26 日，深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡稱： 志橙半導(dǎo)體）創(chuàng)業(yè)板 IPO 申請獲受理。 志橙半導(dǎo)體...

      2023-06-29 標(biāo)簽：碳化硅志橙半導(dǎo)體 3843 0

      長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂

      據(jù)公告介紹，該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

      2020-10-13 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 3836 0

      中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷

      據(jù)青島日報報道，中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示，將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖，以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn)，確保本年9月份竣工投產(chǎn)。

      2020-03-17 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 3816 0

      新能源汽車800V高壓超充風(fēng)口將至！重金投資160億，三安光電碳化硅產(chǎn)線快速推進(jìn)

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      2022-09-02 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅三安光電 3814 0

      替代IGBT的碳化硅還面臨著哪些挑戰(zhàn)？

      隨著汽車電動化趨勢的崛起，2021年新賣出的車輛中，電動汽車已經(jīng)占據(jù)了5%的份額。據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)預(yù)估，到2030年電動汽車的份額將超過30%，上路的電動汽車...

      2021-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT碳化硅 3801 0

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      在碳化硅襯底的制備原料里，以2021年為例，石墨件成本占比為45.21%，石墨氈占比為41.32%，占據(jù)了原料成本的86.53%，相對比與碳粉、硅粉占比...

      2023-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅碳中和 3787 0

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      2024-03-19 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 3755 0

      基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案布局加速！廣汽等4家企業(yè)采用

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      2024年以來，包括廣汽集團(tuán)等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用

      2024-01-29 標(biāo)簽：SiCdcdc轉(zhuǎn)換器碳化硅 3678 0

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      磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同...

      2022-02-15 標(biāo)簽：裝置碳化硅刻蝕 3641 0

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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