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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構,帶來了諸多優勢:首先,“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離,減小了寄生電容,開關頻率得以提高。
使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準 8 英寸 SiC 單...
碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖...
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優點,可以實現高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...
摘要:近些年,在市場應用驅動下,半導體激光器的輸出功率越來越高,器件產生的熱量也在增加,同時封裝結構要求也更加緊湊,這對半導體激光器的熱管理提出了更高的...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當前半導體材料領域的佼佼者,它們各自具有獨特的優勢,應用領域也有所不同。以下是對兩者優勢的比較: 氮化鎵(GaN)...
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...
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