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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經成為碳化硅最大的下游應用市場，行業(yè)普遍預估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達到60億美元。

2023-09-11 標簽：逆變器功率器件 SiC 631 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減...

2023-09-11 標簽：MOSFET 元器件導通電阻 3702 0

IGBT的結構和應用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術，但它在高功率應用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標簽：半導體 IGBT SiC 1409 0

如何采用碳化硅設計高效可再生能源系統(tǒng)呢？

太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)應用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網絡實現現代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。

2023-09-11 標簽：二極管 MOSFET PCB布局 357 0

淺談SiC MOSFET的驅動與保護

米勒平臺產生的原因，是在MOSFET開通過程中，當DS之間電壓從高到低跳變時，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，不給柵-源電容Cgc充電，從而V...

2023-09-08 標簽：英飛凌 MOSFET IGBT 1946 0

晶圓靜電吸附（ESC）詳解

什么是真空吸盤？晶圓真空吸盤通常由堅硬的表面構成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產生真空效應。

2023-09-08 標簽：晶圓溫度控制芯片封裝 4882 0

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！

硅碳化物(SiC)技術已經達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 2330 0

半導體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀最重要的新四大發(fā)明”之一，半導體的重要性不言而喻。從電子產品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學，半導體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標簽：半導體半導體材料 SiC 1579 0

碳化硅設計創(chuàng)新以實現綠色能源發(fā)電的轉型

推動電動汽車市場發(fā)展的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術和基于碳化硅的設計的創(chuàng)新，以實現綠色能源發(fā)電的轉型。

2023-09-07 標簽：電動汽車太陽能電池電池充電器 449 0

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設計挑戰(zhàn)

太陽能逆變器和ESS應用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網現代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效，...

2023-09-06 標簽：MOSFET 太陽能逆變器 684 0

碳化硅功率半導體工藝流程

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶第二，使用多線切割設備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標簽：功率半導體光刻膠碳化硅 1659 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應用優(yōu)勢

如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于M...

2023-09-05 標簽：二極管太陽能半導體 1947 0

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

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2023-08-31 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1232 0

一種基于實際頻率測量的多頻方法來構建復頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現特征成像。

2023-08-31 標簽：傳感器衰減器 SiC 1369 0

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

2023-08-31 標簽：二極管 MOSFET 半導體 781 0

使用碳化硅進行雙向車載充電機設計

電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到2kW，到高端電動汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上，...

2023-08-30 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1432 0

怎樣通過并聯碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關、電阻器和 MOSFET 并聯連接。

2023-08-29 標簽：MOSFET 電阻器電源電路 838 0

碳化硅VJFET的動態(tài)電路模型設計

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導體是市場上最先進的半導體之一。

2023-08-29 標簽：電容器 SCR VHDL語言 1086 0

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影響高速SiC MOSFET開關特性的因素有哪些？

碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

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